[發明專利]存儲陣列驅動方法及驅動電路

在審

• 申請號: 201310452158.8
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104464804A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 胡洪;張建軍;張賽
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C11/4063;G11C11/413
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

技術領域

本發明涉及存儲器驅動技術領域，具體涉及一種存儲陣列驅動方法及驅動電路。

背景技術

為了實現存儲器存儲陣列中存儲單元的編程、擦除或讀取，需要在存儲器存儲陣列編程、擦除或讀取過程中，對存儲陣列進行驅動。對于存儲器存儲陣列中存儲單元的編程、擦除或讀取是指存儲陣列配置的驅動器在編碼器的作用下，產生高電平和低電平時序信號，通過此時序信號的高低電平對存儲器存儲陣列的存儲單元進行編程、擦除或讀取。

現有技術中確定一存儲器以及與存儲器匹配的驅動器后，對存儲陣列驅動按以下方法實現：根據配置的驅動器劃分存儲陣列，形成多個存儲陣列塊，并且存儲陣列塊形成有一個連接端部；驅動器配置在存儲陣列塊的連接端部，與存儲陣列塊的連接端部相連接，對存儲陣列塊進行單端驅動；其中，單端驅動是指當劃分存儲陣列形成存儲陣列塊后，在存儲陣列塊的一邊連接驅動器，進而對存儲陣列塊進行驅動。圖1所示是現有技術中驅動器對存儲陣列進行驅動電路示意圖。如圖1所示，驅動電路包括存儲陣列塊101和驅動器102，驅動器102的一個端部與存儲陣列塊101相連接，用于對存儲陣列塊中存儲單元進行驅動；其中，驅動器的另一個端部用于連接編碼器。圖2所示是現有技術中一驅動電路中驅動器驅動最遠端存儲單元示意圖，并假定驅動器101的驅動能力為1X。圖3所示是現有技術中一驅動電路中驅動最遠端存儲單元等效RC模型示意圖。如圖3所示，在驅動器的驅動能力處于1X，則驅動器驅動RC網絡的最遠端的存儲單元的延時為t₀=R*C，以及在此延時內驅動器以一定的驅動能力驅動存儲陣列塊最遠端存儲單元。

當確定一存儲器及與存儲器相匹配的驅動器后，上述現有技術中的驅動電路及驅動方法，雖一定程度上實現了對存儲陣列存儲單元在進行編程、擦除或讀取過程中的驅動，但這種存儲陣列驅動電路和驅動方法，造成存儲陣列的開銷較大以及不利于提高存儲器存儲陣列的效率等。

發明內容

有鑒于上述，當確定一存儲器及與存儲器相匹配的驅動器后，現有技術中存儲器存儲陣列驅動過程中存在的問題，本發明實施例提供了如下技術方案：

在第一方面，本發明實施例提供了一種存儲陣列驅動方法，確定一存儲器及與存儲器相匹配的驅動器，包括：

根據所述與存儲器相匹配的驅動器劃分存儲器的存儲陣列，形成至少一個存儲陣列塊；其中，所述存儲陣列塊形成有第一端部和第二端部；

在所述存儲陣列塊的所述第一端部施加第一驅動；以及

同時在所述存儲陣列塊的所述第二端部施加第二驅動。

進一步的，所述的存儲陣列驅動方法，所述驅動器為NMOS管和/或PMOS管驅動器。

進一步的，所述的存儲陣列驅動方法，所述第一端部和第二端部為存儲陣列塊的字線端部。

進一步的，所述的存儲陣列驅動方法，所述第一驅動和所述第二驅動具有相同的驅動負載能力。

進一步的，所述的存儲陣列驅動方法，所述存儲器為閃存存儲器、靜態存儲器或動態存儲器。

本發明實施例提供的存儲陣列驅動方法，當確定一存儲器及與存儲器存儲陣列相匹配的驅動器后，對形成的存儲陣列塊進行在兩個端部同時進行驅動，利用此種方法對存儲陣列的存儲陣列塊進行驅動同現有技術相比同一驅動能力，在相同的延時下，能夠驅動1.4倍于現有技術的驅動負載；以此本發明公開技術方案減少了存儲陣列的開銷，并同時提高了存儲陳列的陣列效率。

在第二方面，本發明實施例還提供了一種存儲陣列驅動電路，包括：

劃分存儲器的存儲陣列形成的至少一個存儲陣列塊和至少一個與所述存儲器相匹配的驅動器；其中，所述存儲陣列塊形成有第一端部和第二端部；

所述第一端部與所述驅動器連接，用于在所述存儲陣列塊的第一端部施加第一驅動；

所述第二端部與所述驅動器連接，用于同時在所述存儲陣列塊的第二端部施加第二驅動。

進一步的，所述的存儲陣列驅動電路，所述驅動器為NMOS和/或PMOS管驅動器。

進一步的，所述的存儲陣列驅動電路，所述第一端部和第二端部為存儲陣列塊的字線端部。

進一步的，所述的存儲陣列驅動電路，所述第一驅動和所述第二驅動具有相同的驅動負載能力。

進一步的，所述的存儲陣列驅動電路，所述存儲器為閃存存儲器、靜態存儲器或動態存儲器。