[發(fā)明專利]存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)方法及驅(qū)動(dòng)電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310452158.8
• 申請(qǐng)日: 2013-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN104464804A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡洪;張建軍;張賽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/06
• 分類號(hào): G11C16/06;G11C11/4063;G11C11/413
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

1.一種存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)方法，確定一存儲(chǔ)器及與存儲(chǔ)器相匹配的驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，包括：

根據(jù)所述與存儲(chǔ)器相匹配的驅(qū)動(dòng)器劃分存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)陣列，形成至少一個(gè)存儲(chǔ)陣列塊；其中，所述存儲(chǔ)陣列塊形成有第一端部和第二端部；

在所述存儲(chǔ)陣列塊的所述第一端部施加第一驅(qū)動(dòng)；以及

同時(shí)在所述存儲(chǔ)陣列塊的所述第二端部施加第二驅(qū)動(dòng)。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器為NMOS管和/或PMOS管形成的驅(qū)動(dòng)器。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于所述第一端部和第二端部為存儲(chǔ)陣列塊的字線端部。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第一驅(qū)動(dòng)和所述第二驅(qū)動(dòng)具有相同的驅(qū)動(dòng)負(fù)載能力。

5.如權(quán)利要求1-4任一所述的存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為閃存存儲(chǔ)器、靜態(tài)存儲(chǔ)器或動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。

6.一種存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：

劃分存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)陣列形成的至少一個(gè)存儲(chǔ)陣列塊和至少一個(gè)與所述存儲(chǔ)器相匹配的驅(qū)動(dòng)器；其中，所述存儲(chǔ)陣列塊形成有第一端部和第二端部；

所述第一端部與所述驅(qū)動(dòng)器連接，用于在所述存儲(chǔ)陣列塊的第一端部施加第一驅(qū)動(dòng)；

所述第二端部與所述驅(qū)動(dòng)器連接，用于同時(shí)在所述存儲(chǔ)陣列塊的第二端部施加第二驅(qū)動(dòng)。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器為NMOS管和/或PMOS管驅(qū)動(dòng)器。

8.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一端部和第二端部為存儲(chǔ)陣列塊的字線端部。

9.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一驅(qū)動(dòng)和所述第二驅(qū)動(dòng)具有相同的驅(qū)動(dòng)負(fù)載能力。

10.如權(quán)利要求6-9任一所述的存儲(chǔ)陣列驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為閃存存儲(chǔ)器、靜態(tài)存儲(chǔ)器或動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。