[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310451562.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN104518102A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;黃輝;張娟娟;王平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。

傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極一般為銀（Ag）、金（Au）等金屬，制備后陰極極易滲透到有機(jī)層，對(duì)有機(jī)層造成破壞，電子在陰極附近容易淬滅，從而發(fā)光效率較低。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陰極由金屬氧化物摻雜層，有機(jī)電子傳輸材料摻雜層和金屬摻雜層組成，所述金屬氧化物摻雜層材料包括VB族金屬氧化物及摻雜在所述VB族金屬氧化物中的鈉鹽，所述VB族金屬氧化物材料選自五氧化二釩、五氧化二鉭和五氧化二鈮中至少一種，所述鈉鹽選自碳酸鈉、氯化鈉和溴化鈉中至少一種，所述有機(jī)電子傳輸材料摻雜層材料包括有機(jī)電子傳輸材料及摻雜在所述有機(jī)電子傳輸材料中的富勒烯衍生物材料，所述有機(jī)電子傳輸材料HOMO能級(jí)在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在50℃～100℃，所述富勒烯衍生物材料選自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中至少一種，所述金屬摻雜層材料包括低功函數(shù)金屬及摻雜在所述低功函數(shù)金屬中的高功函數(shù)金屬，所述低功函數(shù)金屬材料選自鎂、鍶、鈣和鐿中至少一種，所述高功函數(shù)金屬材料選自銀、鋁、鉑和金中至少一種。

所述VB族金屬氧化物與所述鈉鹽的質(zhì)量比為2:1～0.5:1，所述有機(jī)電子傳輸材料和所述富勒烯衍生物的質(zhì)量比為1:1～3:1，所述低功函數(shù)金屬與所述高功函數(shù)金屬質(zhì)量比為5:1～20:1。

所述金屬氧化物摻雜層的厚度為20nm～200nm，所述有機(jī)電子傳輸材料摻雜層的厚度為20nm～80nm，所述金屬摻雜層的厚度為50nm～500nm。

所述發(fā)光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種，所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺中的至少一種。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽(yáng)極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層；及

在所述電子注入層的表面電子束制備形成金屬氧化物摻雜層，所述金屬氧化物摻雜層材料包括VB族金屬氧化物及摻雜在所述VB族金屬氧化物中的鈉鹽，所述VB族金屬氧化物材料選自五氧化二釩、五氧化二鉭和五氧化二鈮中至少一種，所述鈉鹽選自碳酸鈉、氯化鈉和溴化鈉中至少一種，通過(guò)熱阻蒸鍍方式在所述金屬氧化物摻雜層表面制備所述有機(jī)電子傳輸材料摻雜層，所述有機(jī)電子傳輸材料摻雜層材料包括有機(jī)電子傳輸材料及摻雜在所述有機(jī)電子傳輸材料中的富勒烯衍生物材料，所述有機(jī)電子傳輸材料HOMO能級(jí)在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在50℃～100℃，所述富勒烯衍生物材料選自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中至少一種，通過(guò)熱阻蒸鍍方式在所述機(jī)電子傳輸材料摻雜層表面制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料包括低功函數(shù)金屬及摻雜在所述低功函數(shù)金屬中的高功函數(shù)金屬，所述低功函數(shù)金屬材料選自鎂、鍶、鈣和鐿中至少一種，所述高功函數(shù)金屬材料選自銀、鋁、鉑和金中至少一種。

所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強(qiáng)為2×10^-3～5×10^-5Pa，工作電流為1A～3A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。