[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310451562.3
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104518102A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張娟娟;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陰極由金屬氧化物摻雜層，有機電子傳輸材料摻雜層和金屬摻雜層組成，所述金屬氧化物摻雜層材料包括VB族金屬氧化物及摻雜在所述VB族金屬氧化物中的鈉鹽，所述VB族金屬氧化物材料選自五氧化二釩、五氧化二鉭和五氧化二鈮中至少一種，所述鈉鹽選自碳酸鈉、氯化鈉和溴化鈉中至少一種，所述有機電子傳輸材料摻雜層材料包括有機電子傳輸材料及摻雜在所述有機電子傳輸材料中的富勒烯衍生物材料，所述有機電子傳輸材料HOMO能級在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化轉變溫度在50℃～100℃，所述富勒烯衍生物材料選自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中至少一種，所述金屬摻雜層材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的高功函數金屬，所述低功函數金屬材料選自鎂、鍶、鈣和鐿中至少一種，所述高功函數金屬材料選自銀、鋁、鉑和金中至少一種。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述VB族金屬氧化物與所述鈉鹽的質量比為2:1～0.5:1，所述有機電子傳輸材料和所述富勒烯衍生物的質量比為1:1～3:1，所述低功函數金屬與所述高功函數金屬質量比為5:1～20:1。

3.根據權利要求1或2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬氧化物摻雜層的厚度為20nm～200nm，所述有機電子傳輸材料摻雜層的厚度為20nm～80nm，所述金屬摻雜層的厚度為50nm～500nm。

4.根據權利要求1或2所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種，所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。

5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層；及

在所述電子注入層的表面電子束制備形成金屬氧化物摻雜層，所述金屬氧化物摻雜層材料包括VB族金屬氧化物及摻雜在所述VB族金屬氧化物中的鈉鹽，所述VB族金屬氧化物材料選自五氧化二釩、五氧化二鉭和五氧化二鈮中至少一種，所述鈉鹽選自碳酸鈉、氯化鈉和溴化鈉中至少一種，通過熱阻蒸鍍方式在所述金屬氧化物摻雜層表面制備所述有機電子傳輸材料摻雜層，所述有機電子傳輸材料摻雜層材料包括有機電子傳輸材料及摻雜在所述有機電子傳輸材料中的富勒烯衍生物材料，所述有機電子傳輸材料HOMO能級在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化轉變溫度在50℃～100℃，所述富勒烯衍生物材料選自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中至少一種，通過熱阻蒸鍍方式在所述機電子傳輸材料摻雜層表面制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的高功函數金屬，所述低功函數金屬材料選自鎂、鍶、鈣和鐿中至少一種，所述高功函數金屬材料選自銀、鋁、鉑和金中至少一種。

6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強為2×10^-3～5×10^-5Pa，工作電流為1A～3A，有機材料的蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強為2×10^-3Pa～5×10^-5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm²～l00W/cm²。