[發(fā)明專利]一種溝槽型DMOS單元及其制備方法和DMOS器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310451145.9
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104465754A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 李姜

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種溝槽型DMOS單元及其制備方法和DMOS器件。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，溝槽型雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Double?Diffused?MOS，DMOS）器件的應(yīng)用范圍極其廣泛，構(gòu)成溝槽型DMOS器件的溝槽型DMOS單元的溝槽制備過程非常重要，主要包括：對半導(dǎo)體進(jìn)行雙溝槽刻蝕，并在刻蝕后暴露出來的表面生成一層厚度為的犧牲氧化物，然后利用濕法腐蝕掉該犧牲氧化層，進(jìn)而再利用氣相沉積等生產(chǎn)工藝在去除掉犧牲氧化層的半導(dǎo)體表面生成所需的柵氧。

然而，在溝槽型DMOS單元的制備過程中，雙溝槽側(cè)壁并不是垂直的，而是呈85度～87度傾斜狀，在使用等離子體對半導(dǎo)體進(jìn)行雙溝槽刻蝕時，等離子體會對溝槽側(cè)壁會造成損傷，導(dǎo)致出現(xiàn)源、漏極間的漏電通道，使溝槽型DMOS單元在形成器件時，源、漏極間漏電敏感，而對于溝槽型DMOS器件而言，源、漏極間是否漏電是衡量該器件本身的質(zhì)量是否可靠的重要參數(shù)，按照上述工藝制備的溝槽型DMOS單元會影響所構(gòu)成的溝槽型DMOS器件的正常運(yùn)行。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種溝槽型DMOS單元及其制備方法和DMOS器件，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的溝槽型DMOS器件的源、漏極間漏電敏感的問題。

本發(fā)明實施例采用以下技術(shù)方案：

一種溝槽型DMOS單元的制備方法，所述方法包括：

對具有雙溝槽的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕；

在刻蝕后的半導(dǎo)體層表面生長一層厚度為用于與半導(dǎo)體層表面進(jìn)行氧化反應(yīng)的犧牲氧化層；

腐蝕所述犧牲氧化層后，在所述半導(dǎo)體層表面生成柵氧。

在本發(fā)明實施例提供的溝槽型DMOS單元的制備方法中，通過增大犧牲氧化層的厚度，使得在犧牲氧化層與刻蝕后的半導(dǎo)體層進(jìn)行氧化反應(yīng)時，可以將在刻蝕過程中對溝槽側(cè)壁造成的損傷部位幾乎完全氧化掉，從而，可以最大程度地降低溝槽損傷部位的存在，在一定程度上避免了源、漏極間的漏電，有效改善源、漏極間漏電敏感的問題。

優(yōu)選地，所述犧牲氧化層的厚度為或

在本發(fā)明實施例提供的溝槽型DMOS單元的制備方法中，可以根據(jù)實際需求和工藝設(shè)備的限制，選擇合適的犧牲氧化層的厚度，在一定程度上提高了制備工藝的靈活性。

優(yōu)選地，腐蝕所述犧牲氧化層后，溝槽的開口寬度不大于第一門限值，且雙溝槽之間的距離不小于第二門限值。

在本發(fā)明實施例提供的溝槽型DMOS單元的制備方法中，使溝槽的開口寬度不至于過大，雙溝槽之間的距離不至于過小，可使后續(xù)工藝能夠正確執(zhí)行。

一種利用溝槽型DMOS單元的方法制備的溝槽型DMOS單元，雙溝槽側(cè)壁一定厚度的表面與厚度為的犧牲氧化層氧化反應(yīng)掉。

在本發(fā)明實施例提供中，提供了一種利用溝槽型DMOS單元的方法制備的溝槽型DMOS單元，在制備該溝槽型DMOS單元時，通過增大犧牲氧化層的厚度，使得在犧牲氧化層與刻蝕后的半導(dǎo)體層進(jìn)行氧化反應(yīng)時，可以將在刻蝕過程中對溝槽側(cè)壁造成的損傷部位幾乎完全氧化掉，從而，可以降低溝槽損傷部位的存在，在一定程度上避免了源、漏極間的漏電，有效改善源、漏極間漏電敏感的問題。

優(yōu)選地，所述犧牲氧化層的厚度為或

在本發(fā)明實施例中，提供了一種利用溝槽型DMOS單元的方法制備的溝槽型DMOS單元，在其制備過程中，可以根據(jù)實際需求和工藝設(shè)備的限制，選擇合適的犧牲氧化層的厚度，在一定程度上提高了制備工藝的靈活性。

優(yōu)選地，腐蝕所述犧牲氧化層后，溝槽的開口寬度不大于第一門限值，且雙溝槽之間的距離不小于第二門限值。

在本發(fā)明實施例中，提供了一種利用溝槽型DMOS單元的方法制備的溝槽型DMOS單元，在其制備過程中，使溝槽的開口寬度不至于過大，雙溝槽之間的距離不至于過小，可使后續(xù)工藝能夠正確執(zhí)行。

一種溝槽型DMOS器件，包括所述的溝槽型DMOS單元。

在本發(fā)明實施例提供中，提供了一種包括溝槽型DMOS單元的溝槽型DMOS器件，在制備溝槽型DMOS單元時，通過增大犧牲氧化層的厚度，使得在犧牲氧化層與刻蝕后的半導(dǎo)體層進(jìn)行氧化反應(yīng)時，可以將在刻蝕過程中對溝槽側(cè)壁造成的損傷部位幾乎完全氧化掉，從而，可以降低溝槽損傷部位的存在，在一定程度上避免了源、漏極間的漏電，有效改善源、漏極間漏電敏感的問題。

附圖說明