[發明專利]一種溝槽型DMOS單元及其制備方法和DMOS器件在審
| 申請號： | 201310451145.9 | 申請日： | 2013-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN104465754A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 趙圣哲 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 李姜 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溝槽 dmos 單元 及其 制備 方法 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種溝槽型DMOS單元的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
對具有雙溝槽的半導體層進行刻蝕；
在刻蝕后的半導體層表面生長一層厚度為用于與半導體層表面進行氧化反應的犧牲氧化層；
腐蝕所述犧牲氧化層后，在所述半導體層表面生成柵氧。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲氧化層的厚度為或
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，
腐蝕所述犧牲氧化層后，溝槽的開口寬度不大于第一門限值，且雙溝槽之間的距離不小于第二門限值。
4.一種利用權利要求1所述的方法制備的溝槽型DMOS單元，其特征在于，雙溝槽側壁一定厚度的表面與厚度為的犧牲氧化層氧化反應掉。
5.如權利要求4所述的溝槽型DMOS單元，其特征在于，所述犧牲氧化層的厚度為或
6.如權利要求4所述的溝槽型DMOS單元，其特征在于，
腐蝕所述犧牲氧化層后，溝槽的開口寬度不大于第一門限值，且雙溝槽之間的距離不小于第二門限值。
7.一種溝槽型DMOS器件，其特征在于，包括權利要求4～6任一所述的溝槽型DMOS單元。
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