[發明專利]一種OLED像素結構和OLED顯示裝置無效
| 申請號: | 201310451132.1 | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103500752A | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發明(設計)人: | 石領;永山和由;史世明 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 像素 結構 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種OLED像素結構和OLED顯示裝置。
背景技術
透明顯示是近幾年較熱點的技術方向,作為現有平板顯示的主流,TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜晶體管)-LCD(Liquid?Crystal?Display:液晶顯示器)和AMOLED(Active?Matrix?Organic?Light-Emitting?Device,有源驅動式電致發光器件)都可以實現透明顯示,其中尤以AMOLED透明顯示效果更佳,也是主流的研究方向。
OLED是一種利用有機固態半導體作為發光材料的發光器件,由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發光亮度高、工作溫度適應范圍廣等優點,使其具有廣闊的應用前景。相比液晶顯示裝置,由于OLED顯示裝置中的OLED器件本身能發光,因此能省去液晶顯示裝置中笨重的背光源,獲得更輕薄的整機結構。但是,在現有技術中,大部分AMOLED透明顯示技術均采用雙面發射,使得OLED器件光源發出的大部分光均未得到合理利用,導致光源利用率較低。
另外,在現有技術的透明AMOLED顯示裝置中,大多采用了空白窗口,即在每個像素或若干像素中設置一個透明的窗口,在此區域中未設置OLED器件或不對OLED器件進行驅動,而保持該區域的常態的光學性質以使之實現透明顯示。由于空白窗口對應的區域僅作為透射區使用,而不能被有效利用于顯示畫面,顯示面板的利用率較低。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足,提供一種OLED像素結構和OLED顯示裝置,該OLED像素結構能有效提高OLED器件的光源利用率,有效提高顯示面板的利用率。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是該OLED像素結構,包括薄膜晶體管和OLED器件,所述薄膜晶體管中設置有驅動電極,所述驅動電極用于對所述OLED器件的發光與否進行控制,其中,所述像素結構包括透射區和反射區,所述反射區內設置有由所述驅動電極延伸形成的反射層。
優選的是,所述驅動電極包括柵極、以及同層設置的源極和漏極,所述反射層由所述柵極或所述漏極向所述像素結構中心延伸形成。
優選的是,所述OLED器件為頂發射型結構,所述OLED器件包括相對設置的陽極和陰極,所述反射層設置于所述陽極的下方、且與所述陽極在正投影方向上部分重疊。
優選的是,所述反射層與所述柵極或所述漏極采用相同的材料形成。
優選的是,所述陽極和所述陰極采用透明電極材料或具有同等透明效果的金屬合金材料形成,所述反射層采用鋁、銅、鉬、鋁釹合金、鉻、鈦或銀形成。
優選的是,所述反射層與所述柵極或所述漏極采用同一構圖工藝形成。
優選的是,所述反射層的厚度等于所述柵極或所述漏極的厚度。
進一步優選的是,所述反射區與所述透射區的面積比為1:1。
優選的是,所述薄膜晶體管包括頂柵型結構和底柵型結構,所述薄膜晶體管中為a-Si薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管或有機薄膜晶體管。
一種OLED顯示裝置,包括多個像素結構,所述像素結構采用上述的OLED像素結構。
本發明的有益效果是:本發明提供的OLED像素結構,采用頂發射型OLED結構,OLED器件的陽極和陰極均使用透明電極材料或具有同等透明效果的金屬合金材料;且通過改善用于驅動OLED器件的薄膜晶體管的金屬電極(柵極或漏極)的圖形,使其作為像素結構的反射層,能將OLED器件的部分光反射回陽極進一步加以利用,進一步提高了OLED像素結構中OLED器件的光源利用率;還可用于顯示背景圖像,實現透明顯示,相比現有技術中的像素結構減小了空白窗口的區域,提高了顯示面板的利用率。
附圖說明
圖1為本發明實施例1中OLED像素結構的剖視圖;
圖2為對應著圖1中OLED像素結構的俯視圖;
圖3為本發明實施例2中OLED像素結構的剖視圖;
圖4為對應著圖3中OLED像素結構的俯視圖;
圖中:1-基板;2-柵極;3-柵絕緣層;4-有源層;5-刻蝕阻擋層;6-源極;7-漏極;8-鈍化層;9-樹脂層;10-陽極;11-像素限定層;12-發光層;13-陰極;14-封裝層;15-封裝基板;16-過孔;17-反射層;18-反射區;19-透射區。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





