[發(fā)明專利]一種OLED像素結(jié)構(gòu)和OLED顯示裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310451132.1
• 申請(qǐng)日: 2013-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN103500752A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石領(lǐng);永山和由;史世明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種OLED像素結(jié)構(gòu)，包括薄膜晶體管和OLED器件，所述薄膜晶體管中設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電極，所述驅(qū)動(dòng)電極用于對(duì)所述OLED器件的發(fā)光與否進(jìn)行控制，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包括透射區(qū)和反射區(qū)，所述反射區(qū)內(nèi)設(shè)置有由所述驅(qū)動(dòng)電極延伸形成的反射層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電極包括柵極、以及同層設(shè)置的源極和漏極，所述反射層由所述柵極或所述漏極向所述像素結(jié)構(gòu)中心延伸形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述OLED器件為頂發(fā)射型結(jié)構(gòu)，所述OLED器件包括相對(duì)設(shè)置的陽(yáng)極和陰極，所述反射層設(shè)置于所述陽(yáng)極的下方、且與所述陽(yáng)極在正投影方向上部分重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射層與所述柵極或所述漏極采用相同的材料形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陽(yáng)極和所述陰極采用透明電極材料或具有同等透明效果的金屬合金材料形成，所述反射層采用鋁、銅、鉬、鋁釹合金、鉻、鈦或銀形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射層與所述柵極或所述漏極采用同一構(gòu)圖工藝形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射層的厚度等于所述柵極或所述漏極的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的OLED像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射區(qū)與所述透射區(qū)的面積比為1:1。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的OLED像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管包括頂柵型結(jié)構(gòu)和底柵型結(jié)構(gòu)，所述薄膜晶體管中為a-Si薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管或有機(jī)薄膜晶體管。

10.一種OLED顯示裝置，包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的OLED像素結(jié)構(gòu)。