[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310450447.4
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104518134A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發(fā)明涉及電子器件相關領域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發(fā)光器件（OLED）是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制備幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有低功函數(shù)的金屬電極。當電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光輻射。

OLED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點，被業(yè)內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術，OLED技術在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了OLED的產(chǎn)業(yè)化進程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。

柔性產(chǎn)品是有機電致發(fā)光器件的發(fā)展趨勢，但目前普遍存在壽命短，因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。傳統(tǒng)技術中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應用于柔性有機電致放光器件的封裝。

發(fā)明內容

為克服上述現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機電致發(fā)光器件可有效地減少水汽、氧對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，保護有機電致發(fā)光器件的有機功能材料和電極免遭破壞，對柔性OLED器件的壽命有顯著的提高。本發(fā)明方法適用于封裝以導電玻璃基板制備的有機電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為基底制備的柔性有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件。

一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和封裝層，所述陽極導電基板和封裝層形成封閉空間，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層容置在所述封閉空間內，所述封裝層包括依次層疊的保護層、氟化物層、有機硅層和聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜；

所述保護層的材質為酞菁銅（CuPc）、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺（NPB）、八羥基喹啉鋁（Alq₃）、氧化硅（SiO）、氟化鎂（MgF₂）或硫化鋅（ZnS）；

所述氟化物層的材質為氟化鋁（AlF₃）、氟化鉿（HfF₄）、氟化鋯（ZrF₄）、氟化鋰（LiF）、氟化鈰（CeF₂）或氟化釔（YF₃）；

所述有機硅層的材質為聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]或聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]。

優(yōu)選地，保護層的厚度為200nm～300nm。

所述保護層的存在可以保護陰極在后續(xù)操作過程中免遭破壞。

所述氟化物層性質穩(wěn)定，不易被酸堿等物質腐蝕，防水氧能力強。

所述有機硅層中的材質同時具有有機物和無機物的性質，使有機硅層具有良好的水氧阻隔性，同時可以吸收和分散層與層之間的應力，避免致密的氟化物層產(chǎn)生裂痕而降低封裝層的阻擋性能，這對于柔性有機電致發(fā)光器件特別重要，同時有機硅層具有質量輕、制備簡便等優(yōu)點。

本發(fā)明所述封裝層中有機硅層和氟化物層層疊，可以提高封裝層的阻擋性能，延長了水、氧滲透路徑，可以達到優(yōu)良的封裝效果，有效減少外部水、氧等活性物質對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，彌補了單一氟化物層和單一有機硅層的缺點，延長器件壽命。

優(yōu)選地，所述氟化物層的厚度為100nm～150nm。

優(yōu)選地，所述有機硅層的厚度為1μm～1.5μm。

優(yōu)選地，所述陽極導電基板為導電玻璃基板或導電有機薄膜基板。

更優(yōu)選地，所述陽極導電基板為氧化銦錫（ITO）導電玻璃基板。