[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310450447.4 | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN104518134A | 公開(公告)日: | 2015-04-15 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,包括依次層疊的陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和封裝層,所述陽極導電基板和封裝層形成封閉空間,所述空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層容置在所述封閉空間內,其特征在于,所述封裝層包括依次層疊的保護層、氟化物層、有機硅層和聚對苯二甲酸乙二酯膜;
所述保護層的材質為酞菁銅、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅;
所述氟化物層的材質為氟化鋁、氟化鉿、氟化鋯、氟化鋰、氟化鈰或氟化釔;
所述有機硅層的材質為聚[(3-(二(三氟甲基)(甲氧基)硅基)丙基)二(三氟甲基)(甲基)硅烷]、聚[(3-(二(五氟乙基)(甲氧基)硅基)丙基)二(五氟乙基)(甲基)硅烷]或聚[(3-(二(七氟丙基)(甲氧基)硅基)丙基)二(七氟丙基)(甲基)硅烷]。
2.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述氟化物層的厚度為100nm~150nm。
3.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述有機硅層的厚度為1μm~1.5μm。
4.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述保護層的厚度200nm~300nm。
5.一種有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)在潔凈的陽極導電基板上采用真空蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層;
(2)在所述陰極層上制備封裝層,得到所述有機電致發光器件,所述封裝層的制備方法如下:
在所述陰極層上采用真空蒸鍍的方法制備保護層,然后在所述保護層上采用磁控濺射的方法制備氟化物層,所述保護層的材質為酞菁銅、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺、八羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅;所述氟化物層的材質為氟化鋁、氟化鉿、氟化鋯、氟化鋰、氟化鈰或氟化釔;所述磁控濺射時的本底真空度為1×10-5Pa~1×10-3Pa;
提供聚對苯二甲酸乙二酯膜,在所述聚對苯二甲酸乙二酯膜上采用先旋涂后曝光的方法制備有機硅層,具體操作為:首先在所述聚對苯二甲酸乙二酯膜上旋涂2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧雜二硅氧烷、2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧雜二硅氧烷或2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧雜二硅氧烷,然后采用紫外光進行固化處理,得到設置有有機硅層的聚對苯二甲酸乙二酯膜,將所述設置有有機硅層的聚對苯二甲酸乙二酯膜覆蓋在所述氟化物層的表面,得到依次層疊的保護層、氟化物層、有機硅層和聚對苯二甲酸乙二酯膜;所述有機硅層的材質為聚[(3-(二(三氟甲基)(甲氧基)硅基)丙基)二(三氟甲基)(甲基)硅烷]、聚[(3-(二(五氟乙基)(甲氧基)硅基)丙基)二(五氟乙基)(甲基)硅烷]或聚[(3-(二(七氟丙基)(甲氧基)硅基)丙基)二(七氟丙基)(甲基)硅烷];旋涂速度為2000rpm~4000rpm,旋涂時間為15s~30s,紫外光光強為10mW/cm2~15mW/cm2,曝光時間為200s~300s;
在所述設置有有機硅層的聚對苯二甲酸乙二酯膜的邊緣涂布環氧樹脂封裝膠,由紫外光固化的方式干燥硬化封裝膠,將所述空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、保護層、氟化物層和有機硅層封裝在所述聚對苯二甲酸乙二酯膜和陽極導電基板形成的封閉空間內。
6.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述保護層的蒸鍍條件為:真空度為3×10-5Pa~8×10-5Pa,蒸鍍速率為
7.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,在所述聚對苯二甲酸乙二酯膜的邊緣涂布環氧樹脂封裝膠的厚度為1μm~1.5μm,用紫外光進行固化時,光強為10mW/cm2~15mW/cm2,曝光時間為300s~400s。
8.如權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述氟化物層的厚度為100nm~150nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





