[發明專利]發光二極管與其制作方法及發光二極管模塊與其封裝方法

在審

• 申請號: 201310449421.8
• 申請日: 2013-09-24
• 公開（公告）號: CN104425698A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 杜鉛鑫;吳崑榮;蔣清淇
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明是有關于一種發光二極管。

背景技術

一般發光二極管模塊的封裝制程是先將發光二極管芯片固晶于支架上，接著再以打線方式將發光二極管芯片與支架之間進行電性連接。然而因打線制程繁復，且形成的金線因結構細長的緣故，因此可能會在后續的制程中受到損壞，而降低發光二極管模塊的合格率。因此如何在增強發光二極管本身結構的同時，一并改善發光二極管模塊的封裝制程，為業界共同努力的目標。

發明內容

本發明的目的在于提供一種發光二極管與其制作方法及發光二極管模塊與其封裝方法。

本發明的一方面提供一種發光二極管，包含發光二極管芯片、第一導電膠與第二導電膠。發光二極管芯片包含第一電極與第二電極。第一導電膠位于第一電極上。第二導電膠位于第二電極上，且第一、第二導電膠彼此分離。

在一或多個實施方式中，第一導電膠與第二導電膠皆為異方性導電膠(ACF)。

在一或多個實施方式中，發光二極管芯片還包含基板、第一半導體層、發光層與第二半導體層。第一半導體層置于基板上。發光層置于部分的第一半導體層上，且暴露出另一部分的第一半導體層。第二半導體層置于發光層上。第一電極置于被暴露的第一半導體層上，且第二電極置于第二半導體層上方。

在一或多個實施方式中，發光二極管芯片還包含電流擴散層、電流阻障部與保護層。電流擴散層置于第二半導體層與第二電極之間。電流阻障部位于電流擴散層與第二半導體層之間，且位于第二電極下方。保護層覆蓋裸露的第一半導體層與第二半導體層。

本發明的另一方面提供一種發光二極管模塊，包含支架與上述的發光二極管。支架包含物理性彼此分離的第一導電部與第二導電部。發光二極管以覆晶接合方式接合于支架上，使得第一、第二導電膠分別接合于第一導電部與第二導電部。

本發明的再一方面提供一種發光二極管模塊的封裝方法，包含下列步驟：提供支架，包含彼此分離的第一導電部與第二導電部。提供上述的發光二極管，并以覆晶接合方式使得發光二極管的第一、第二導電膠分別接合于支架之間的第一導電部與第二導電部上。施一熱壓處理，使得第一、第二導電膠受到擠壓而使得發光二極管的第一、第二電極分別與支架的第一、第二導電部電性連接，固化第一導電膠與第二導電膠，且使得發光二極管固定于支架上。

在一或多個實施方式中，熱壓處理的溫度介于120℃至150℃。

本發明的又一方面提供一種發光二極管的制作方法，包含下列步驟：提供包含第一、第二電極的發光二極管芯片。形成光阻層于發光二極管芯片上。圖案化光阻層，分別形成露出第一、第二電極上表面的第一、第二貫穿孔。形成導電層于光阻層上，且至少填滿第一貫穿孔與第二貫穿孔。去除部分的導電層，以分別于第一貫穿孔中形成第一導電膠，且于第二貫穿孔中形成第二導電膠，且第一、第二導電膠彼此分離。去除光阻層。

在一或多個實施方式中，導電層為異方性導電膠(ACF)。

在一或多個實施方式中，于去除部分的導電層的步驟中，包含進行干蝕刻制程以去除第一貫穿孔與第二貫穿孔外的部分的導電層。

上述的發光二極管包含第一導電膠與第二導電膠，因此可分別替代金線以連接發光二極管芯片的第一電極與第二電極，以使得發光二極管具有較佳的結構強度。另外上述的發光二極管模塊分別利用第一導電膠與第二導電膠，而使得第一電極與第二電極分別和第一導電部與第二導電部電性連接，因此可節省制程步驟與成本。

附圖說明

圖1繪示本發明一實施方式的發光二極管的剖面圖；

圖2A繪示圖1的第一導電膠的結構示意圖；

圖2B繪示圖2A的導電粒子的示意圖；

圖3A～圖3E繪示圖1的發光二極管的制程剖面流程圖；

圖4A～圖4C繪示包含圖1的發光二極管的發光二極管模塊的封裝側視流程圖。

具體實施方式

以下將以附圖揭露本發明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些已知慣用的結構與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。