[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310446894.2
• 申請(qǐng)日: 2013-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103700659A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹田裕;竹內(nèi)潔;鬼沢岳;田中圣康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/06;H01L27/092;H01L29/36
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 歐陽(yáng)帆

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

在襯底中形成的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一雜質(zhì)區(qū)，用作晶體管的源極和漏極；

在襯底中形成的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一低濃度雜質(zhì)區(qū)，用作晶體管的LDD區(qū)域；

在襯底中形成的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第二雜質(zhì)區(qū)，具有與第一雜質(zhì)區(qū)相同的雜質(zhì)濃度；

在襯底中形成的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第二低濃度雜質(zhì)區(qū)，連接到第二雜質(zhì)區(qū)并且具有與第一低濃度雜質(zhì)區(qū)相同的雜質(zhì)濃度；

第一接觸件，連接到第二雜質(zhì)區(qū)；以及

第二接觸件，連接到第二低濃度雜質(zhì)區(qū)，

其中在以平面圖觀看時(shí)元件隔離膜不被形成在第一接觸件與第二接觸件之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

第一硅化物層，形成在第一雜質(zhì)區(qū)的表面層中；以及

第二硅化物層，形成在第二雜質(zhì)區(qū)的表面層中，

其中第一接觸件連接到第二硅化物層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中第一硅化物層和第二硅化物層是由彼此相同的金屬制成的硅化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

第三硅化物層，形成在第二低濃度雜質(zhì)區(qū)的表面層的一部分中，

其中第二接觸件連接到第三硅化物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

阻擋金屬層，覆蓋第二接觸件的底部和側(cè)面，

其中第二接觸件通過(guò)阻擋金屬層連接到第二低濃度雜質(zhì)區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中第二接觸件的前端進(jìn)入襯底中的其中形成第二低濃度雜質(zhì)區(qū)的部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中第二低濃度雜質(zhì)區(qū)中的深度方向上的與第二接觸件的前端交迭的區(qū)域具有隨著其深度增加而減小的雜質(zhì)濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中第二接觸件的前端是圓形的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中第二雜質(zhì)區(qū)用作第一雜質(zhì)區(qū)。

10.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

柵極電極，形成在襯底之上；

作為第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)區(qū)的在襯底中形成的源極區(qū)；

作為第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)區(qū)的在襯底中形成的漏極區(qū)；

在襯底中形成的第一導(dǎo)電類(lèi)型的低濃度雜質(zhì)區(qū)，在以平面圖觀看時(shí)位于柵極電極和漏極區(qū)之間并且具有比漏極區(qū)更低的載流子濃度；

第一接觸件，連接到低濃度雜質(zhì)區(qū)，并且電連接到源極區(qū)；以及

第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一結(jié)區(qū)，形成在低濃度雜質(zhì)區(qū)中的與第一接觸件連接的部分中，具有比低濃度雜質(zhì)區(qū)更高的載流子濃度并且具有比漏極區(qū)更低的載流子濃度。

11.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

柵極電極，形成在襯底之上；

作為第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)區(qū)的在襯底中形成的源極區(qū)；

作為第一導(dǎo)電類(lèi)型雜質(zhì)區(qū)的在襯底中形成的漏極區(qū)；

在襯底中形成的第一導(dǎo)電類(lèi)型的低濃度雜質(zhì)區(qū)，在以平面圖觀看時(shí)位于柵極電極和漏極區(qū)之間并且具有比漏極區(qū)更低的載流子濃度；

第一接觸件，連接到低濃度雜質(zhì)區(qū)，并且電連接到源極區(qū)；以及

第一結(jié)區(qū)，通過(guò)將雜質(zhì)引入到襯底中的與第一接觸件連接的部分中而形成，

其中當(dāng)?shù)谝唤Y(jié)區(qū)的雜質(zhì)濃度被設(shè)定為N_d，第一結(jié)區(qū)的深度被設(shè)定為σ_d，低濃度雜質(zhì)區(qū)的雜質(zhì)濃度被設(shè)定為N_LDD，并且低濃度雜質(zhì)區(qū)的深度被設(shè)定為σ_LDD時(shí)，滿足以下表達(dá)式（1）：

N_d>N_LDD·σ_LDD²/σ_d²…(1)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中雜質(zhì)濃度為在深度方向上的雜質(zhì)濃度分布由高斯分布近似時(shí)的峰值濃度，并且雜質(zhì)區(qū)的深度為在深度方向上的雜質(zhì)濃度分布由高斯分布近似時(shí)的離差。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中第一結(jié)區(qū)比低濃度雜質(zhì)區(qū)更淺。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中第一結(jié)區(qū)比低濃度雜質(zhì)區(qū)更深。