[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310446894.2
• 申請日: 2013-09-26
• 公開（公告）號: CN103700659A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 竹田裕;竹內潔;鬼沢岳;田中圣康
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L27/092;H01L29/36
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

本申請基于日本專利申請No.2012-215138和2013-048879，這些申請的內容通過引用被并入于此。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體裝置，并且涉及可應用于例如具有二極管的半導體裝置的技術。

背景技術

經常在電路中使用整流器件。在半導體裝置中，諸如肖特基勢壘二極管（Schottky?barrier?diode）之類的二極管經常被用作整流器件。

使用半導體襯底形成的肖特基勢壘二極管包括例如在日本未經審查的專利公開No.H05-55553中公開的二極管。在日本未經審查的專利公開No.H05-55553中公開的肖特基勢壘二極管被配置為使得n⁺區(qū)被形成在n區(qū)的表面層的一部分中，并且電極連接到n⁺區(qū)和n區(qū)中的每一個。在日本未經審查的專利公開No.H05-55553中，與雙極晶體管一起形成肖特基勢壘二極管。肖特基勢壘二極管的n區(qū)被形成為具有與阱相同的深度。

另外，日本未經審查的專利公開No.H09-55439和日本未經審查的專利公開No.H10-28045公開了在其中MOS晶體管和肖特基勢壘二極管被一起形成的半導體裝置。特別地，日本未經審查的專利公開No.H09-55439公開了硅化物被用作肖特基電極。另外，日本未經審查的專利公開No.H10-28045公開了使得n區(qū)與用作MOS晶體管的源極或漏極的n⁺區(qū)相鄰，并且肖特基電極連接到n區(qū)。

另外，日本未經審查的專利公開No.2010-147387和日本未經審查的專利公開No.2011-243978公開了，在使用二維電子氣（electron?gas）的化合物半導體裝置中，肖特基電極被設置在位于電子供應層中的漏極與柵極電極之間的區(qū)域中，并且肖特基電極電連接到源極。

此外，非專利文獻（S.Snakaran等人,J.Solid-State?Circuit,42,P.1058,2007）公開了元件隔離膜位于肖特基勢壘二極管的兩個電極之間。

同時，日本未經審查的專利公開No.2005-175063公開了，在包括n型漂移區(qū)的晶體管中，晶體管通過在漂移區(qū)的表面層中設置p型雜質層而具有高耐受電壓。

發(fā)明內容

肖特基勢壘二極管所要求的一個特性是它的低導通電阻。本發(fā)明的發(fā)明人已經研究了在不增加與MOS晶體管一起形成的肖特基勢壘二極管中的制造處理的數量的情況下減少導通電阻。

另外，本發(fā)明的發(fā)明人已經考慮到，在日本未經審查的專利公開No.2010-147387和日本未經審查的專利公開No.2011-243978公開的方法中，由于肖特基電極，耗盡層被形成在漏極與溝道之間，由此使得晶體管的導通電阻增大。

根據本說明書的描述和附圖將更清楚其它問題和新穎的特征。

在一個實施例中，在襯底中形成第一導電類型的第一雜質區(qū)、第一導電類型的第一低濃度雜質區(qū)、第一導電類型的第二雜質區(qū)、第一導電類型的第二低濃度雜質區(qū)、第一接觸件（contact）和第二接觸件。第一雜質區(qū)是晶體管的源極和漏極，并且第一低濃度雜質區(qū)是晶體管的LDD區(qū)域。第二雜質區(qū)具有與第一雜質區(qū)相同的雜質濃度。第二低濃度雜質區(qū)連接到第二雜質區(qū)，并且具有與第一低濃度雜質區(qū)相同的雜質濃度。第一接觸件連接到第二雜質區(qū)，并且第二接觸件連接到第二低濃度雜質區(qū)。當以平面圖觀看時，元件隔離膜不被形成在第一接觸件和第二接觸件之間。

在另一實施例中，在襯底中形成柵極電極、源極區(qū)、漏極區(qū)和低濃度雜質區(qū)。當以平面圖觀看時，低濃度雜質區(qū)位于柵極電極和漏極區(qū)之間。第一接觸件連接到低濃度雜質區(qū)。第一接觸件與源極區(qū)電連接。結區(qū)被形成在低濃度雜質區(qū)中的與第一接觸件連接的部分中。結區(qū)具有比低濃度雜質區(qū)更高的載流子濃度，并且具有比漏極區(qū)更低的載流子濃度。

在另一實施例中，在襯底中形成柵極電極、源極區(qū)、漏極區(qū)和低濃度雜質區(qū)。當以平面圖觀看時，低濃度雜質區(qū)位于柵極電極和漏極區(qū)之間。第一接觸件連接到低濃度雜質區(qū)。第一接觸件與源極區(qū)電連接。結區(qū)被形成在低濃度雜質區(qū)中的與第一接觸件連接的部分中。當結區(qū)的雜質濃度被設定為N_d，結區(qū)的深度被設定為σ_d，低濃度雜質區(qū)的雜質濃度被設定為N_LDD，并且結區(qū)的深度被設定為σ_LDD時，滿足以下表達式（1）。