[發明專利]陣列基板、制備方法以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310446616.7
• 申請日: 2013-09-26
• 公開（公告）號: CN103489826A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 寧策;楊維;王珂
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/06;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、制備方法以及顯示裝置。

背景技術

隨著科學技術的發展，平板顯示裝置已取代笨重的CRT(Cathode?Ray?Tube,陰極射線管)顯示裝置日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示裝置包括LCD（Liquid?Crystal?Display：液晶顯示裝置）、PDP（Plasma?Display?Panel：等離子顯示裝置）和OLED（Organic?Light-Emitting?Diode:有機發光二極管）顯示裝置。

其中，LCD和有源矩陣驅動式OLED（Active?Matrix?Organic?Light?Emission?Display，簡稱AMOLED）顯示裝置中都由集成在陣列基板中的薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor：簡稱TFT）作為控制器件，從而實現圖像顯示。其中，薄膜晶體管主要包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極。

目前，有源層通常采用含硅材料或金屬氧化物半導體材料形成。采用金屬氧化物半導體材料作為有源層，薄膜晶體管具有較好的開態電流、開關特性，且遷移率高，均勻性好，不需要增加補償電路，可用于需要快速響應和較大電流的應用，如應用于高頻、高分辨率、中大尺寸的LCD以及OLED顯示裝置中。同時，金屬氧化物半導體材料形成有源層的制作工藝簡單，采用濺射等方法即可，與現有的LCD產線匹配性好，容易轉型，不需增加額外的設備，具有成本優勢。

隨著人們對高像素（高PPI）顯示的需求，也促使陣列基板進行改進，目前已出現了在陣列基板中增加樹脂層的結構，樹脂層設置在數據線的上方。樹脂層能減少集成電容的使用，因此有利于提高陣列基板的開口率，使得有效像素面積增大；同時也減少了邏輯功耗，極大地降低了功耗，提高了產品的性能，使得高像素（高PPI）顯示前進了一步。

高像素顯示裝置的一個典型代表是高級超維場轉換技術ADSDS（ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS）液晶顯示裝置。ADS型陣列基板中通常包括位于液晶盒同一側的像素電極層與公共電極層，像素電極層與公共電極層間產生的電場，使液晶盒內的所有液晶分子都能夠發生偏轉，從而提高了液晶工作效率并增大了視角。但是，目前采用金屬氧化物半導體材料作為有源層并增加樹脂層的ADS型陣列基板，在制備工藝中一般需要九次構圖工藝。九次構圖工藝分別為：在基板上沉積柵極導電薄膜，采用第一次構圖工藝形成柵極；在柵極上沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上沉積有源層，采用第二次構圖工藝形成包括有源層的圖形；在有源層上方形成刻蝕阻擋層膜，采用第三次構圖工藝形成包括刻蝕阻擋層的圖形；在刻蝕阻擋層上方沉積源漏導電薄膜，采用第四次構圖工藝形成包括源極、漏極的圖形；在源極、漏極上方形成第一鈍化層膜，采用第五次構圖工藝形成第一鈍化層的圖形以及第一鈍化層中的過孔；在第一鈍化層的上方形成樹脂層膜，采用第六次構圖工藝形成包括樹脂層的圖形；在樹脂層上方形成第一電極層膜，采用第七次構圖工藝形成板狀電極；在板狀電極的上方形成第二鈍化層膜，采用第八次構圖工藝形成包括第二鈍化層的圖形以及第二鈍化層中的過孔；在第二鈍化層的上方形成第二電極層膜，采用第九次構圖工藝形成狹縫電極。

可見，增加了樹脂層后，雖然提高了陣列基板的開口率，并在一定程度上降低了功耗，提高了產品的性能，但同時也使得陣列基板的制備工藝復雜化，降低了產能和產品良率。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足，提供一種陣列基板、制備方法以及顯示裝置，該陣列基板，結構緊湊，該陣列基板的制備方法僅包括六次構圖工藝，簡化了工藝，提高了產能，節約了成本。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是該陣列基板，包括基板以及設置于所述基板上的薄膜晶體管和驅動電極，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述驅動電極包括不同層設置、且在正投影方向上至少部分重疊的狹縫電極和板狀電極，其中，所述源極、所述漏極與所述有源層為部分共底面結構，所述薄膜晶體管與所述板狀電極之間還設置有樹脂層。

優選的是，所述柵極設置于所述基板上方，所述柵極上方設置所述柵絕緣層，所述柵絕緣層上方間隔設置所述源極和所述漏極，且所述源極、所述漏極分別與所述柵極在正投影方向上部分重疊，所述有源層設置于所述源極與所述漏極形成的間隔區內、且分別延伸至所述源極與部分所述漏極的上方，使得所述源極、所述漏極與部分所述有源層的底面均設置于所述柵絕緣層頂面上。