[發明專利]陣列基板、制備方法以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310446616.7
• 申請日: 2013-09-26
• 公開（公告）號: CN103489826A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 寧策;楊維;王珂
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/06;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種陣列基板，包括基板以及設置于所述基板上的薄膜晶體管和驅動電極，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述驅動電極包括不同層設置、且在正投影方向上至少部分重疊的狹縫電極和板狀電極，其特征在于，所述源極、所述漏極與所述有源層為部分共底面結構，所述薄膜晶體管與所述板狀電極之間還設置有樹脂層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極設置于所述基板上方，所述柵極上方設置所述柵絕緣層，所述柵絕緣層上方間隔設置所述源極和所述漏極，且所述源極、所述漏極分別與所述柵極在正投影方向上部分重疊，所述有源層設置于所述源極與所述漏極形成的間隔區內、且分別延伸至所述源極與部分所述漏極的上方，使得所述源極、所述漏極與部分所述有源層的底面均設置于所述柵絕緣層頂面上。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的上方設置有第一保護層，所述第一保護層與所述有源層在正投影方向上完全重疊；所述樹脂層設置于所述第一保護層的上方，所述板狀電極設置于所述樹脂層的上方，所述樹脂層對應著設置有板狀電極的區域的厚度大于其他區域的厚度，所述板狀電極的上方設置有第二保護層，所述狹縫電極設置于所述第二保護層的上方。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述板狀電極為公共電極，所述狹縫電極為像素電極；或者，所述板狀電極為像素電極，所述狹縫電極為公共電極；所述陣列基板還包括與所述柵極同層設置的公共電極線，所述樹脂層對應著所述漏極的區域開設有第一過孔、對應著所述公共電極線的區域開設有第二過孔，所述第二保護層對應著所述漏極的區域開設有第三過孔，所述柵絕緣層對應著所述公共電極線的區域開設有第四過孔，所述像素電極通過所述第一過孔和所述第三過孔與所述漏極電連接，所述公共電極通過所述第二過孔和所述第四過孔與所述公共電極線電連接。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述樹脂層采用有機樹脂形成，所述有機樹脂包括丙烯酸類成膜樹脂，酚醛樹脂類成膜樹脂，乙烯基聚合物成膜樹脂或聚亞胺成膜樹脂，所述樹脂層的厚度范圍為900-2100nm；

所述有源層采用金屬氧化物半導體材料形成，所述金屬氧化物半導體材料包括氧化銦鎵鋅、氧化銦、氧化鋅或氧化銦錫鋅，所述有源層的厚度范圍為20-60nm。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極、所述公共電極線采用鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦、鉻或銅形成；所述柵極、所述公共電極線為單層或多層復合疊層結構，所述柵極、所述公共電極線的厚度范圍為100-500nm；

所述源極和所述漏極采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成，所述源極和所述漏極的厚度范圍為100-500nm。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成，所述像素電極的厚度范圍為20-110nm；所述公共電極采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成，所述公共電極的厚度范圍為20-60nm。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一保護層和所述第二保護層為單層或多層復合疊層結構，采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物或鋁氧化物形成，所述第一保護層的厚度范圍為90-210nm，所述第二保護層的厚度范圍為190-310nm。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的陣列基板。

10.一種陣列基板的制備方法，包括在基板上形成薄膜晶體管和驅動電極的步驟，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述驅動電極包括在正投影方向上至少部分重疊的狹縫電極和板狀電極，其特征在于，所述源極、所述漏極與所述有源層采用兩次構圖工藝形成部分共底面結構，所述薄膜晶體管與所述板狀電極之間還形成有樹脂層，所述樹脂層與所述板狀電極采用一次構圖工藝形成。