[發明專利]刻蝕劑組合物、金屬圖案的形成方法和陣列基板的制法在審
| 申請號: | 201310446528.7 | 申請日: | 2013-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN103911616A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 張尚勛;沈慶輔 | 申請(專利權)人: | 東友FINE-CHEM股份有限公司 |
| 主分類號: | C23F1/30 | 分類號: | C23F1/30;H01L21/77;H01L21/28;H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 武晨燕;胡春光 |
| 地址: | 韓國全*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 刻蝕 組合 金屬 圖案 形成 方法 陣列 制法 | ||
1.一種刻蝕劑組合物,所述刻蝕劑組合物用于銀或銀合金的單層膜或由所述單層膜和銦氧化物膜組成的多層膜,基于所述刻蝕劑組合物的總重量,所述刻蝕劑組合物包含0.1~0.8wt%的具有羧基的雜環化合物。
2.根據權利要求1所述的刻蝕劑組合物,其中,所述具有羧基的雜環化合物是具有N或O作為雜原子的五元雜環化合物至十元雜環化合物,可選地所述具有羧基的雜環化合物被1~10個碳原子的烷基取代,而且所述羧基的數量是1或2。
3.根據權利要求1所述的刻蝕劑組合物,其中,所述具有羧基的雜環化合物是吡啶羧酸類化合物。
4.根據權利要求1所述的刻蝕劑組合物,基于所述刻蝕劑組合物的總重量,還包含:
7.0~13.0wt%的硝酸;
4.5~10.5wt%的硫酸;
12.0~17.0wt%的過硫酸鹽;
0.5~4.0wt%的磷酸鹽;以及
余量的水。
5.根據權利要求1所述的刻蝕劑組合物,其中,所述過硫酸鹽是選自由過硫酸鉀、過硫酸鈉和過硫酸銨組成的組中的任何一種。
6.根據權利要求1所述的刻蝕劑組合物,其中,所述磷酸鹽是選自由磷酸二氫銨、磷酸二氫鈉、磷酸二氫鈣、磷酸二氫鉀、磷酸氫二銨、磷酸氫二鈉、磷酸氫鈣和磷酸氫二鉀組成的組中的任何一種。
7.一種形成金屬圖案的方法,所述方法包括以下步驟:
(i)在基板上形成選自銀或銀合金的單層膜以及由所述單層膜和銦氧化物膜組成的多層膜中的至少一種膜;以及
(ii)使用根據權利要求1~6中任一項所述的刻蝕劑組合物來刻蝕所述至少一種膜。
8.一種制造用于有機發光顯示器的陣列基板的方法,所述方法包括以下步驟:
(a)在基板上形成柵極;
(b)在包含所述柵極的基板上形成柵絕緣層;
(c)在所述柵絕緣層上形成半導體層;
(d)在所述半導體層上形成源極和漏極;以及
(e)形成連接至所述漏極的像素電極,
其中,步驟(a)、(d)和(e)中的至少一個步驟包括以下步驟:形成選自銀或銀合金的單層膜以及由所述單層膜和銦氧化物膜組成的多層膜中的至少一種膜;以及使用根據權利要求1~6中任一項所述的刻蝕劑組合物來刻蝕所述至少一種膜以形成各個電極。
9.根據權利要求8所述的方法,其中,所述用于有機發光顯示器的陣列基板是用于薄膜晶體管的陣列基板。
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