[發明專利]卡盤工作臺在審
| 申請號: | 201310445016.9 | 申請日: | 2013-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN103715127A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 飯塚健太呂;寺島將人 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 卡盤 工作臺 | ||
技術領域
本發明涉及保持晶片等被加工物的卡盤工作臺。
背景技術
在表面形成有器件的晶片等被加工物例如通過具有激光加工單元的激光加工裝置被進行加工。該激光加工裝置具有在加工時保持被加工物的卡盤工作臺(例如,參照專利文獻1)??ūP工作臺具有由多孔陶瓷材料構成的吸附部,被加工物由吸附部吸附而被保持在卡盤工作臺上。通過使保持了被加工物的卡盤工作臺相對于激光加工單元相對移動,能夠改變激光光線的照射位置地對被加工物進行加工。
現有技術文獻
專利文獻1:日本特開2005-262249號公報
另外,通過上述那樣的激光加工裝置來加工的被加工物有時具有某種程度的翹曲。例如,在通過照射激光光線來分離貼合的多個基板的提離(lift?off)加工中,被加工物具有由基板的貼合引起的翹曲。在以外周側變高的方式將具有翹曲的被加工物裝載到卡盤工作臺上時,被加工物的外周部分從吸附部的表面上浮,被加工物與吸附部的緊貼性變低。此時,卡盤工作臺不能發揮足夠的吸引力,從而無法適當地保持被加工物。
發明內容
本發明是鑒于這樣的方面而完成的發明,其目的在于提供一種卡盤工作臺,能夠適當地保持具有翹曲的被加工物。
本發明的卡盤工作臺是在對板狀的被加工物實施加工的加工裝置中將被加工物保持在上表面上的卡盤工作臺,上述卡盤工作臺的特征在于,具有:吸附部,其具有在上表面上吸引保持被加工物的吸附面;以及環狀密封部,其圍繞上述吸附部的周圍而形成為環狀,且由支撐被加工物的外周側的彈性部件形成,上述吸附部與在上述吸附面生成負壓的負壓生成源連通,上述環狀密封部的表面高度與被加工物的翹曲對應地形成為比上述吸附面的表面高度高,在吸引保持被加工物時,由于被加工物的翹曲而產生從被加工物外周與上述吸附面間的間隙泄漏的負壓,通過被加工物外周與上述環狀密封部抵接,該泄漏的負壓被密封,該泄漏的負壓作用于被加工物外周而使上述彈性部件變形,從而被加工物以與上述吸附面處于同一平面的狀態被吸引保持。
根據該結構,由于被加工物的外周部分與由彈性部件形成的環狀密封部抵接,所以能夠防止翹曲導致的氣密性的降低,從而適當地吸引保持被加工物。另外,由于環狀密封部通過吸引保持被加工物時的負壓而以使被加工物的表面處于同一平面的方式變形,所以能夠提高被加工物的加工性。另外,由于環狀密封部通過吸引保持被加工物時的負壓而變形,所以能夠緩和局部的應力而防止被加工物的破損。
發明效果
根據本發明,能夠提供一種能夠適當保持具有翹曲的被加工物的卡盤工作臺。
附圖說明
圖1是表示本實施方式的激光加工裝置的結構例的立體圖。
圖2是表示本實施方式的卡盤工作臺的結構例的立體圖。
圖3A、圖3B和圖3C是表示將具有翹曲的晶片吸引保持在本實施方式的卡盤工作臺的樣子的示意圖。
標號說明
1????激光加工裝置(加工裝置)
14???激光加工單元
15???卡盤工作臺
151??θ工作臺
152??工作臺底座
152a?底座部
152b?支撐部
152c?貫通孔
152d?氣體流路
152e?切口部
153??吸附部
153a?吸附面
154??環狀密封部
154a?上表面
154b?切口部
W????晶片(被加工物)
W1???中央部分
W2???外周部分
具體實施方式
以下,參照附圖,對本發明的實施方式進行說明。圖1是表示具有本實施方式的卡盤工作臺15的激光加工裝置(加工裝置)1的結構例的立體圖。圖1同時表示了成為加工對象的晶片(被加工物)。本實施方式的激光加工裝置1構成為,能夠對保持在卡盤工作臺15上的晶片W照射激光光線,從而對晶片W進行激光加工。
如圖1所示,晶片W具有圓板狀的外形形狀。晶片W的表面被呈格子狀地排列的間隔道劃分為多個區域。在晶片W中,在由間隔道劃分出的各區域中形成有器件。另外,也可以在晶片W的在吸引保持時與卡盤工作臺15接觸的背面或表面粘貼保護帶。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





