[發(fā)明專利]用于平面襯底的雙外延CMOS集成

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310444504.8
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN103824812B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設計）人: N·勞貝特;B·普拉納撒蒂哈蘭
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導體公司;國際商業(yè)機器公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括：

形成與在n型區(qū)域和p型區(qū)域二者之上的柵極電極相鄰的硅鍺(SiGe)區(qū)域；

在所述p型區(qū)域中的結(jié)構(gòu)之上形成和圖案化硬掩模，其中所述硬掩模的剩余物在所述硬掩模被圖案化時保留于與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰并且在所述硅鍺區(qū)域之上的間隔物上；

相對于所述硬掩模的材料選擇性地去除與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰的所述硅鍺區(qū)域；

外延生長與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰的硅鍺碳(Si(Ge)C)區(qū)域以取代所去除的硅鍺區(qū)域；以及

在所述硅鍺碳區(qū)域以下的層中注入源極/漏極延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硬掩模包括氮化硅(SiN)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括去除所述硅鍺區(qū)域的與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰并且在所述硬掩模剩余物之下的部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述硅鍺碳生長于所述硬掩模剩余物之下。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：

在外延生長與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰并且在所述硬掩模剩余物之下的所述硅鍺碳區(qū)域之后，去除所述硬掩模剩余物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

注入所述源極/漏極延伸發(fā)生在去除所述硬掩膜剩余物之前。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在選擇性地去除與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰的所述硅鍺區(qū)域和外延生長與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰的硅鍺碳區(qū)域以取代所去除的硅鍺區(qū)域期間，所述硬掩模保留于所述p型區(qū)域中的結(jié)構(gòu)之上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硅鍺區(qū)域鄰接在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極上的側(cè)壁間隔物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硬掩模由氮化硅形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括使用鹽酸(HCl)以去除與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰的所述硅鍺區(qū)域而不去除所述硬掩模的剩余物。

11.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

在襯底上的n型區(qū)域和p型區(qū)域二者之上的柵極電極；

在通過去除硅鍺區(qū)域而留下的至少定義空間中與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰的硅鍺碳(Si(Ge)(C))區(qū)域，其中所述硅鍺碳區(qū)域鄰接在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極上的側(cè)壁間隔物；以及

在所述側(cè)壁間隔物上并且在所述硅鍺碳區(qū)域之上的圖案化硬掩模的剩余物。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述硬掩模剩余物由氮化硅形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中外延地生長所述硅鍺碳區(qū)域。

14.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

在襯底上的n型區(qū)域和p型區(qū)域二者之上的柵極電極；

與在所述p型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰的硅鍺(SiGe)區(qū)域；

在所述p型區(qū)域上的結(jié)構(gòu)之上的圖案化硬掩模；

用于在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極上的側(cè)壁間隔物上的所述硬掩模的材料的剩余物；以及

與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰并且在所述硬掩模剩余物之下的包含至少硅和鍺的區(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中與在所述n型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰并且在所述硬掩模剩余物之下的包含至少硅和鍺的所述區(qū)域是與在所述p型區(qū)域之上的所述柵極電極相鄰的所述硅鍺區(qū)域并行形成的硅鍺區(qū)域。