[發明專利]一種半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201310442751.4
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104051279A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 賴二琨;邱家榮;羅杰
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L25/16
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體裝置，包括：?

一襯底，包括一第一區域及一第二區域；?

一疊層結構，形成于該襯底的該第一區域上方；以及?

一晶體管結構，具有一柵極形成于該第二區域中，其中?

該柵極結構的一底部是被配置離該襯底一高度，該高度小于該襯底與該疊層結構的一底部之間的一高度。?

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，更包括：?

一第一半導體層，該第一半導體層在該第一區域中且在該襯底和該疊層結構之間，其中?

該柵極結構的該底部與該疊層結構的該底部之間的一高度差是相等于該第一半導體層的一厚度。?

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，更包括：?

一第二半導體層，該第二半導體層在該第一區域中且在該第一半導體層和該襯底之間，其中?

該柵極結構的該底部與該疊層結構的該底部之間的一高度差是相等于該第一半導體層及該第二半導體層的一厚度。?

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，更包括一半導體層形成于該疊層結構的一側壁上。?

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中該半導體層為一多晶硅層。?

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該疊層結構包括一氧化物--氮化物-氧化物層(ONO)。?

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一區域為一存儲器裝置的一陣列區域，該第二區域為該存儲器裝置的一邊緣區域。?

8.一種制造一半導體裝置的方法，包括：?

形成一疊層結構在該半導體裝置的一襯底的一第一區域上方；?

形成一氧化物在該疊層結構上方；以及?

形成該氧化物在該疊層結構上方之后，形成一晶體管的至少一部分在?該半導體裝置的一第二區域內。?

9.根據權利要求8所述的方法，其中一柵極結構的一底部被配置距離該襯底一高度，該高度小于該襯底與該疊層結構的一底部之間的一高度。?

10.根據權利要求8所述的方法，更包括：?

形成一第一半導體層在該第一區域中且在該襯底和該疊層結構之間，其中?

該柵極結構的該底部與該疊層結構的該底部之間的一高度差是相等于該第一半導體層的一厚度?。

11.根據權利要求10所述的方法，更包括：?

形成一第二半導體層，該第二半導體層在該第一區域中且在該第一半導體層和該疊層結構之間，其中?

該柵極結構的該底部與該疊層結構的該底部之間的一高度差是相等于該第一半導體層及該第二半導體層的一厚度。?

12.根據權利要求8所述的方法，更包括形成一半導體層于該疊層結構的一側壁。?

13.根據權利要求12所述的方法，其中該半導體層為一多晶硅層。?

14.根據權利要求8所述的方法，其中該疊層結構包括一氧化物--氮化物-氧化物層(ONO)。?

15.根據權利要求8所述的方法，其中該第一區域為一存儲器裝置的一陣列區域，該第二區域為該存儲器裝置的一邊緣區域。?