[發(fā)明專(zhuān)利]MOS晶體管及對(duì)應(yīng)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310442522.2
• 申請(qǐng)日: 2013-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104465789B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱慈云;劉欣;施雪捷
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/808
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/808;H01L29/41;H01L21/337;H01L21/266
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成袋狀區(qū)；

對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，去除部分袋狀區(qū)，使得剩余的袋狀區(qū)對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底表面低于柵極結(jié)構(gòu)底部的半導(dǎo)體襯底表面；

在刻蝕后的袋狀區(qū)內(nèi)形成輕摻雜源漏區(qū)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成側(cè)墻；

以所述側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，在柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成重?fù)诫s源漏區(qū)，所述輕摻雜源漏區(qū)和重?fù)诫s源漏區(qū)構(gòu)成MOS晶體管的源區(qū)和漏區(qū)；

其中，對(duì)所述袋狀區(qū)和輕摻雜源漏區(qū)進(jìn)行退火處理，所述退火處理在形成側(cè)墻之前進(jìn)行、或在形成重?fù)诫s源漏區(qū)后進(jìn)行。

2.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述去除的袋狀區(qū)的厚度范圍為10納米～40納米。

3.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕的工藝為濕法刻蝕工藝或干法刻蝕工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述袋狀區(qū)的摻雜離子類(lèi)型與源區(qū)、漏區(qū)的摻雜離子類(lèi)型相反。

5.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在所述半導(dǎo)體襯底形成阱區(qū)，在所述阱區(qū)表面形成柵極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的阱區(qū)內(nèi)形成袋狀區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述袋狀區(qū)的摻雜離子類(lèi)型與阱區(qū)的摻雜離子類(lèi)型相同。

7.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述袋狀區(qū)的摻雜離子類(lèi)型與半導(dǎo)體襯底的摻雜離子類(lèi)型相同。

8.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述輕摻雜源漏區(qū)的深度小于刻蝕后的袋狀區(qū)的深度，且所述袋狀區(qū)完全包裹住輕摻雜源漏區(qū)。

9.一種MOS晶體管，應(yīng)用權(quán)利要求1所述方法制取，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的側(cè)墻；

位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的袋狀區(qū)，所述袋狀區(qū)通過(guò)對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，去除部分袋狀區(qū)獲得，所述袋狀區(qū)對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底表面低于柵極結(jié)構(gòu)底部的半導(dǎo)體襯底表面；

位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)且位于所述袋狀區(qū)內(nèi)的輕摻雜源漏區(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)和側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的重?fù)诫s源漏區(qū)，所述輕摻雜源漏區(qū)和重?fù)诫s源漏區(qū)構(gòu)成MOS晶體管的源區(qū)和漏區(qū)。

10.如權(quán)利要求9所述的MOS晶體管，其特征在于，所述袋狀區(qū)對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底表面與柵極結(jié)構(gòu)底部的半導(dǎo)體襯底表面的高度差的范圍為10納米～40納米。

11.如權(quán)利要求9所述的MOS晶體管，其特征在于，所述袋狀區(qū)的摻雜離子類(lèi)型與源區(qū)、漏區(qū)的摻雜離子類(lèi)型相反。

12.如權(quán)利要求9所述的MOS晶體管，其特征在于，還包括：位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的阱區(qū)，所述阱區(qū)表面形成有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的阱區(qū)內(nèi)形成有袋狀區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)。

13.如權(quán)利要求12所述的MOS晶體管，其特征在于，所述袋狀區(qū)的摻雜離子類(lèi)型與阱區(qū)的摻雜離子類(lèi)型相同。

14.如權(quán)利要求9所述的MOS晶體管，其特征在于，所述袋狀區(qū)的摻雜離子類(lèi)型與半導(dǎo)體襯底的摻雜離子類(lèi)型相同。

15.如權(quán)利要求9所述的MOS晶體管，其特征在于，所述輕摻雜源漏區(qū)的深度小于刻蝕后的袋狀區(qū)的深度，且所述袋狀區(qū)完全包裹住輕摻雜源漏區(qū)。