[發明專利]氣孔分布均勻、低介電損耗多孔鐵電陶瓷及其制備方法無效
| 申請號: | 201310442312.3 | 申請日: | 2013-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN103553600A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發明(設計)人: | 聶恒昌;董顯林;陳學鋒;王根水 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號: | C04B35/491 | 分類號: | C04B35/491;C04B38/06;C04B35/622 |
| 代理公司: | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;鄭優麗 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣孔 分布 均勻 低介電 損耗 多孔 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種氣孔分布均勻、低介電損耗的多孔鋯鈦酸鉛陶瓷,其特征在于,所述鐵電陶瓷的化學組成通式為Pb(ZrxTi1-x)O3,其中0.9≤x≤0.97,所述鐵電陶瓷的氣孔分布均勻不團聚,氣孔大小為5~120μm,孔隙率為5~20%,介電損耗常數為1.5~1.8%。
2.根據權利要求1所述的多孔鋯鈦酸鉛鐵電陶瓷,其特征在于,所述鐵電陶瓷的體積電阻率為1011~1013Ω·cm數量級。
3.根據權利要求1或2所述的多孔鋯鈦酸鉛鐵電陶瓷,其特征在于,所述鐵電陶瓷的縱向壓電常數為60~70?pC/N。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的多孔鋯鈦酸鉛鐵電陶瓷,其特征在于,所述鐵電陶瓷的斷裂韌性為1.0~1.5?MPa·m1/2。
5.一種權利要求1至4中任一項所述的氣孔分布均勻、低介電損耗的多孔鋯鈦酸鉛鐵電陶瓷的制備方法,其特征在于,包括:以按組成通式的化學計量比配料的Pb3O4、ZrO2和TiO2為原料制備鋯鈦酸鉛粉體;將一定量的造孔劑在一定濃度的檸檬酸水溶液中溶解,攪拌均勻形成溶液A,將所述鋯鈦酸鉛粉體在去離子水中形成溶液B,然后將溶液A與B混合、球磨后獲得混合物C;然后將混合物C放在烘箱中烘干得到混合粉體,加入粘結劑,造粒、成型、燒結制得多孔鋯鈦酸鉛陶瓷材料;以及將所述陶瓷材料被銀、燒銀并進行極化處理制得所述多孔鋯鈦酸鉛鐵電陶瓷;其中,所述造孔劑是在所述燒結過程中能夠被燒盡從而形成氣孔的物質。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述鋯鈦酸鉛粉體由所述原料經混合細磨后利用固相反應法在800~900℃保溫0.5~3小時合成。
7.根據權利要求5或6所述的制備方法,其特征在于,所述造孔劑包括聚甲基苯烯酸甲酯、淀粉、和/或碳粉。
8.根據權利要求5至7中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述造孔劑為單分散或多分散,直徑范圍為5~120μm,其在所述混合粉體中的質量百分比為0~5wt%。
9.根據權利要求5至8中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述溶液A的濃度為0.1~10%,鋯鈦酸鉛粉體溶液B中,料和去離子水的質量比為1:(0.5~1.0),混合物C球磨時間為0.5~48小時,料球比為1:(0.5~1.5),所述球磨介質為鋼球、氧化鋯球或瑪瑙球。
10.根據權利要求5至9中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述燒結是在鉛氣氛下以1~2.5℃/min的速率升溫至1200~1400℃,保溫0.5~48小時。
11.根據權利要求5至10中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述燒銀工藝為:以1~2.5℃/min的速率升溫至650~750℃,保溫10~100分鐘。
12.根據權利要求5至11中任一項所述的制備方法,其特征在于,所述極化處理工藝為:極化電場2~4?kV/mm,在硅油中保持電壓5~30?分鐘。
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