[發明專利]釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

在審

• 申請號: 201310440249.X
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104449700A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/67
• 分類號: C09K11/67;C23C14/28;C23C14/06;H05B33/14;H05B33/10
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

【技術領域】

本發明涉及一種釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。

【背景技術】

薄膜電致發光器件(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的薄膜，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光器件的釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，仍未見報道。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜、其制備方法、使用該釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜的薄膜電致發光器件及其制備方法。

一種釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜化學通式為Me₅(NbO₄)₃Cl：xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子。

Sm³⁺離子受到激發后分別產生¹G_5/2→⁶H_9/2和¹G_5/2→⁶H_11/2躍遷輻射，發出638nm和727nm的紅色光。

優選地，所述x為0.02。

一種釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將MeO、MeCl₂、Nb₂O₅和Sm₂O₃粉體按摩爾比為9:1:3:x的比例混合均勻得到混合粉末，將所述混合粉末在900℃～1300℃燒結0.5小時～3小時制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子，鈣離子，鍶離子或鋇離子；

將所述靶材以及襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa；及

調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，工作壓強為0.5Pa～5Pa，工作氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，激光能量為80mJ～300mJ，接著進行制膜，得到化學式為Me₅(NbO₄)₃Cl：xSm³⁺的釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子。

一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層的材質為釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜的化學式為Me₅(NbO₄)₃Cl：xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子。

優選地，所述x為0.02。

優選地，所述發光層的厚度為60nm～350nm。

一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

將MeO、MeCl₂、Nb₂O₅和Sm₂O₃粉體按摩爾比為9:1:3:x的比例混合均勻得到混合粉末，將所述混合粉末在900℃～1300℃燒結0.5小時～3小時即制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子；

將所述靶材以及所述具有陽極的襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa；及