[發明專利]釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

在審

• 申請號: 201310440249.X
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104449700A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/67
• 分類號: C09K11/67;C23C14/28;C23C14/06;H05B33/14;H05B33/10
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜的化學式為Me₅(NbO₄)₃Cl：xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子。

2.根據權利要求1所述的釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述x為0.02。

3.一種釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將MeO、MeCl₂、Nb₂O₅和Sm₂O₃粉體按摩爾比為9:1:3:x的比例混合均勻得到混合粉末，將所述混合粉末在900℃～1300℃燒結0.5小時～3小時制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子；

將所述靶材以及襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa；及

調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，工作壓強0.5Pa～5Pa，工作氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，激光能量為80～300mJ，接著進行制膜，得到化學式為Me₅(NbO₄)₃Cl：xSm³⁺的釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子。

4.根據權利要求3所述的釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa，基靶間距為60mm，工作壓強為3Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為20sccm，襯底溫度為500℃，激光能量為150mJ。

5.一種薄膜電致發光器件，包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材質為所述釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜的化學式為Me₅(NbO₄)₃Cl：xSm³，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子。

6.根據權利要求5所述的薄膜電致發光器件，所述x為0.02。

7.根據權利要求5所述的薄膜電致發光器件，其特征在于，所述發光層的厚度為60nm～350nm。

8.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

將MeO、MeCl₂、Nb₂O₅和Sm₂O₃粉體按摩爾比為9:1:3:x的比例混合均勻得到混合粉末，將所述混合粉末在900℃～1300℃燒結0.5小時～3小時即制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子；

將所述靶材以及所述具有陽極的襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa；及

調整脈沖激光沉積鍍膜工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，工作壓強0.5Pa～5Pa，工作氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，激光能量為80mJ～300mJ，接著進行制膜，在所述陽極上制備得到發光層，所述發光層的材質為釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯鈮酸鹽發光薄膜的化學式為Me₅(NbO₄)₃Cl：xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為鎂離子、鈣離子、鍶離子或鋇離子；

在所述發光層上制備陰極，得到所述薄膜電致發光器件。

9.根據權利要求8所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa，基靶間距為60mm，工作壓強為3Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為20sccm，襯底溫度為500℃，激光能量為150mJ。