[發明專利]基板處理設備在審
| 申請號: | 201310439393.1 | 申請日: | 2013-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN103915363A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 申東錫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;魯恭誠 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 設備 | ||
本申請要求于2013年1月9日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第2012-0002504號韓國專利申請的優先權和權益,該申請的公開通過引用全部包含于此。
技術領域
本發明的多個方面涉及一種基板處理設備。
背景技術
基板處理設備可以用于處理諸如玻璃基板的基板以制造平板顯示裝置。例如,基板處理設備可以包括用于在其中執行等離子體處理的處理室和用于去除將被沉積在處理室的內壁上的顆粒的屏蔽構件。
傳統的屏蔽構件可以通過諸如螺栓的固定構件附著在處理室的內壁上。螺栓可以貫穿屏蔽構件以被結合到處理室的內壁上的螺紋,使得屏蔽構件附著在處理室的內壁上。此外,可以設置螺栓帽以覆蓋螺栓。
然而,隨著平板顯示裝置變得更大,增大了處理室的尺寸,因此,增加了屏蔽構件的尺寸和屏蔽構件的數量。另外,會增加諸如螺栓和螺栓帽的固定部件的數量。因此,由于通過諸如螺栓的固定部件固定屏蔽構件,因此在處理室的內壁上的屏蔽構件的附著和拆卸將更耗時。此外,固定構件可能因不同的固定構件的熱膨脹系數的差異而更容易被損壞。此外,在等離子體蝕刻工藝期間可能因屏蔽構件和處理室的內壁之間的間隙而發生等離子體電弧
發明內容
示例實施例提供了一種包括能夠可拆卸地附著到處理室的內壁的屏蔽構件的基板處理設備。
根據示例實施例,基板處理設備包括:處理室,用于處理基板;屏蔽件,位于處理室的內壁;以及連接件,使屏蔽件附著到處理室的內壁。連接件包括分別位于處理室內壁的和屏蔽件的相對表面上的凹槽和突起。
在示例實施例中,連接件的凹槽可以包括沿著屏蔽件的表面延伸的楔形榫槽,連接件的突起可以包括沿著處理室的內壁延伸的與楔形榫槽相對應的楔形榫頭。
在示例實施例中,楔形榫頭可以具有相對于處理室的內壁形成小于90度的角的外側壁。
在示例實施例中,連接件可以包括被構造為使楔形榫頭結合到處理室的內壁的固定構件。
在示例實施例中,屏蔽件可以包括具有第一厚度的突起部分和具有小于第一厚度的第二厚度的凹陷部分,楔形榫槽可以在屏蔽件的突起部分中。
在示例實施例中,第一厚度可以在10mm至6mm的范圍內,第二厚度可以在大約6mm至大約3mm的范圍內。
在示例實施例中,連接件的凹槽可以包括沿著處理室的內壁延伸的楔形榫槽,連接件的突起可以包括沿著屏蔽件延伸的與楔形榫槽相對應的楔形榫頭。
在示例實施例中,屏蔽件可以包括位于處理室的上內壁的上屏蔽件和位于處理室的下內壁的下屏蔽件。
在示例實施例中,屏蔽件可以包括鋁。
在示例實施例中,基板處理設備還可以包括被構造成支撐基板的基板臺。
在示例實施例中,連接件的凹槽可以從屏蔽件的下表面沿著第一方向延伸,連接件的突起可以從處理室的底表面突起。
在示例實施例中,連接件可以使屏蔽件可拆卸地附著到處理室的內壁。
在示例實施例中,凹槽和突起可以可滑動地彼此安裝。
根據實施例,作為雙屏蔽的屏蔽件可以通過滑動安裝的方法裝配到室或者從室拆卸下來,而不需要諸如螺栓的傳統的固定部件。因此,可以減少清理屏蔽件所需要的時間,并且可以減少制造成本。
附圖說明
通過下面結合附圖進行的詳細描述,示例實施例將能被更清楚地理解。圖1至圖7描繪了這里所描述的非限制性的示例實施例。
圖1是示出根據示例實施例的基板處理設備的剖視圖。
圖2是示出附著到圖1中的基板處理設備的處理室的內壁的屏蔽構件的透視圖。
圖3是用圖2中的虛線圈“A”標記的部分的剖視圖。
圖4是示出圖2中的處理室的內壁上的楔形榫頭的透視圖。
圖5是示出根據示例實施例的基板處理設備的屏蔽構件的透視圖。
圖6是示出根據示例實施例的基板處理設備的屏蔽構件的局部剖視圖。
圖7是示出根據示例實施例的維護基板處理設備的方法的透視圖。
具體實施方式
在下文中將參照附圖更充分地描述各個示例實施例,在附圖中示出了示例實施例。然而,可以以許多不同的方式實施示例實施例,并且示例實施例不應被解釋為限于這里闡述的示例實施例。相反,提供這些示例實施例是為了使得該公開徹底和完全,并且將示例實施例的范圍充分地傳達給本領域的技術人員。在附圖中,為了清晰起見,會夸大層和區域的尺寸和相對尺寸。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





