[發明專利]磁共振成像裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201310438793.0
• 申請日: 2013-09-24
• 公開（公告）號: CN103654787A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 崔勝齊;樸東瑾;黃圭完
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

技術領域

本公開涉及使用磁共振成像（MRI）診斷各種疾病的MRI裝置及其制造方法。

背景技術

一般而言，醫學成像系統是用于提供關于病人體內的圖像信息的裝置。醫學成像系統包括X-射線設備、超聲診斷儀器、計算機斷層成像（CT）掃描儀、磁共振成像（MRI）裝置等。

MRI裝置在醫學成像診斷領域保持重要位置，原因在于圖像采集條件相對自由且MRI裝置能夠提供優良的可檢測性并能夠提供關于軟組織的各種診斷信息圖像。

MRI通過使用對人無害的磁場和非電離輻射的RF在人體的氫原子核中引起核磁共振（NMR），于是使原子核的密度以及物理或化學特性成像。

更詳細地，在恒定磁場已經被施加到原子核的狀態下，MRI裝置將特定頻率和能量供應至原子核，以使得原子核釋放能量，并且MRI裝置將從原子核釋放的能量轉換成信號，由此能夠可見地診斷人體內部。

在施加磁場時，配置該原子核的質子因為該質子具有自旋角動量和磁偶極矩而在磁場方向布置，并且原子核進行關于磁場方向的進動。該進動導致核磁共振，使得能夠通過該核磁共振獲得人體的內部圖像。

同時，MRI裝置向目標中形成的靜磁場施加梯度場，于是獲得目標的圖像。為了在靜磁場中形成梯度場，需要向梯度線圈單元供應脈沖型電流。

如果脈沖型電流被施加到梯度線圈單元，則由于電磁感應，渦流電流流過用于在目標中形成靜磁場的靜磁場線圈單元。在靜磁場線圈單元中感生的渦流電流還感應妨礙正常圖像的獲得的磁場，導致圖像品質的劣化。

因此，為了避免由于流過用于在目標中形成靜磁場的靜磁場線圈單元的這樣的渦流電流引起的圖像品質劣化，在該領域中需要一種能夠抑制渦流電流的影響的技術。

發明內容

因此，本發明的一方面提供一種磁共振成像（MRI）裝置和該MRI裝置的制造方法，其中導體安裝在靜磁場線圈單元和梯度線圈單元之間的空間中以消除在靜磁場線圈單元中感生的渦流電流的不對稱，使得渦流電流具有對稱分布。

本發明的額外方面將在以下的描述中被部分地闡述，且可以通過對本發明的實踐而習知。

根據本發明的一個示例性方面，磁共振成像（MRI）裝置可以包括：靜磁場線圈單元，配置為在目標中形成靜磁場；梯度線圈單元，配置為在靜磁場中形成梯度場；和一個或多個導體，安裝在靜磁場線圈單元和梯度線圈單元之間的空間中，并配置為使靜磁場線圈單元中感生的渦流電流對稱地分布。

一個或多個導體可以安裝在不對稱空間中，由此調整在靜磁場線圈單元中感生的渦流電流的幅度，該不對稱空間是在梯度線圈單元偏離參考狀態時形成的，其中在參考狀態中梯度線圈單元與靜磁場線圈單元形成同心體。換言之，當梯度線圈從與靜磁場線圈單元形成同心體的位置（參考狀態）移動時，在靜磁場線圈單元中的渦流電流的幅度被調整。

一個或多個導體可以安裝在過度空間中，由此調整在靜磁場線圈單元的一部分（該部分與過度空間相應）中感生的渦流電流的幅度，該過度空間是在梯度線圈單元偏離參考狀態時形成的，其中在參考狀態中梯度線圈單元與靜磁場線圈單元形成同心體。

此外，靜磁場線圈單元的與過度空間相應的部分可以包括一區域，在所述區域中，梯度線圈單元和靜磁場線圈單元之間的空間在梯度線圈單元偏離參考狀態時變寬。

一個或多個導體可以安裝在用于對稱地分布在靜磁場線圈單元中感生并且在x軸、y軸和z軸方向當中的至少一個方向上不對稱分布的渦流電流的幅度的位置處。

一個或多個導體可以由銅（Cu）、鋁（Al）和不銹鋼（SUS）當中的至少一種材料構成。

靜磁場線圈單元可以包括在其中安裝導體的一個或多個安裝單元。

導體的尺寸和數量的至少一個可以基于對靜磁場線圈單元中感生的渦流電流的測量結果而被確定。

一個或多個導體可以安裝在靜磁場線圈單元的一區域中，在該區域中所測量的渦流電流的幅度小于在靜磁場線圈單元的另一區域測量的渦流電流的幅度，并且在所述區域中測量的渦流電流的較小幅度或所述區域的較大尺寸導致安裝在所述區域中的一個或多個導體的較大尺寸或者較大量的所述導體。

一個或多個導體的形狀可以基于其中安裝導體的區域的形狀而被決定。

根據本發明的另一示例性方面，一種磁共振成像（MRI）裝置的制造方法可以包括：測量在靜磁場線圈單元中形成的渦流電流；基于該測量結果，確定一個或多個導體將被安裝從而形成在靜磁場線圈單元中感生的渦流電流的對稱分布的位置；和在所確定的位置中安裝導體。