[發明專利]磁共振成像裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201310438793.0
• 申請日: 2013-09-24
• 公開（公告）號: CN103654787A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 崔勝齊;樸東瑾;黃圭完
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種磁共振成像裝置，包括：

靜磁場線圈單元，配置為在目標中形成靜磁場；

梯度線圈單元，配置為在所述靜磁場中形成梯度場；和

一個或多個導體，安裝在所述靜磁場線圈單元和所述梯度線圈單元之間的空間中，并且被配置為使所述靜磁場線圈單元中感生的渦流電流對稱地分布。

2.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其中所述一個或多個導體安裝在不對稱空間中并且被配置用于調整在所述靜磁場線圈單元中感生的所述渦流電流的幅度，該不對稱空間是在所述梯度線圈單元偏離參考狀態時形成的，其中在參考狀態中所述梯度線圈單元與所述靜磁場線圈單元形成同心體。

3.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其中所述一個或多個導體安裝在過度空間中并且被配置用于調整在所述靜磁場線圈單元的與所述過度空間相應的部分中感生的所述渦流電流的幅度，該過度空間是在所述梯度線圈單元在位置上偏離參考狀態時而形成的，其中在參考狀態中所述梯度線圈單元與所述靜磁場線圈單元形成同心體，

其中所述過度空間包括一區域，在該區域中，所述梯度線圈單元和所述靜磁場線圈單元之間的所述空間在所述梯度線圈單元偏離所述參考狀態時變寬。

4.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其中所述一個或多個導體安裝在用于對稱地分布在所述靜磁場線圈單元中感生并且在x軸、y軸和z軸方向當中的至少一個方向上不對稱分布的所述渦流電流的幅度的位置。

5.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其中所述靜磁場線圈單元包括在其中安裝所述導體的一個或多個安裝單元。

6.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其中所述導體的尺寸和數量的至少一個基于對所述靜磁場線圈單元中感生的所述渦流電流的一個或多個測量結果而被確定。

7.根據權利要求6所述的磁共振成像裝置，其中所述導體安裝在所述靜磁場線圈單元的一區域中，在所述區域中所測量的渦流電流的幅度小于在所述靜磁場線圈單元的另一區域測量的渦流電流的幅度，并且在所述區域中測量的所述渦流電流的較小幅度或所述區域的較大尺寸導致安裝在所述區域中的所述導體的較大尺寸或者較大量的所述導體。

8.根據權利要求1所述的磁共振成像裝置，其中所述導體的所述形狀基于其中安裝所述導體的區域的形狀而被確定。

9.一種磁共振成像裝置的制造方法，包括：

測量在靜磁場線圈單元中形成的渦流電流；

基于所述測量的結果而確定一個或多個導體將被安裝的位置，從而形成在所述靜磁場線圈單元中感生的所述渦流電流的對稱分布；和

在所確定的位置中安裝所述一個或多個導體。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其中所述一個或多個導體的所述安裝位置包括當所述梯度線圈單元偏離參考狀態的位置時而形成的不對稱空間，其中在參考狀態，所述梯度線圈單元與所述靜磁場線圈單元形成同心體。

11.根據權利要求9所述的制造方法，其中所述一個或多個導體的所述安裝位置包括在所述梯度線圈單元和所述靜磁場線圈單元之間的過度空間，所述過度空間在所述梯度線圈單元偏離參考狀態時形成，在參考狀態中所述梯度線圈單元與所述靜磁場線圈單元形成同心體，其中所述過度空間包括一區域，在該區域中所述梯度線圈單元和所述靜磁場線圈單元之間的所述空間在所述梯度線圈單元偏離所述參考狀態時變寬。

12.根據權利要求9所述的制造方法，其中所述一個或多個導體的所述安裝位置包括所述靜磁場線圈單元的一區域，在該區域中測得在所述靜磁場線圈單元的渦流電流的不對稱分布中的較小幅度的渦流電流，所述不對稱分布出現在x軸、y軸和z軸方向當中的至少一個方向上。

13.根據權利要求9所述的制造方法，其中所述靜磁場線圈單元包括其中安裝所述一個或多個導體的一個或多個安裝單元，和

在所確定的位置中安裝所述一個或多個導體包括在所述靜磁場線圈單元的所述安裝單元中安裝所述導體，所述安裝單元被安裝在所確定的安裝位置中。

14.根據權利要求9所述的制造方法，其中用于形成在所述靜磁場線圈單元中感生的所述渦流電流的所述對稱分布的所述一個或多個導體的尺寸和數量的至少一個基于所述測量結果被確定。