[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310438693.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104466003A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;黃輝;張振華;王平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232 | 代理人: | 劉抗美;劉耿 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電子器件領(lǐng)域,尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明還涉及該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
背景技術(shù)
1987年,美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度,高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。10V下亮度達(dá)到1000cd/m2,其發(fā)光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時(shí)。
現(xiàn)有發(fā)光器件中,器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的,而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部,界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差)。具體而言,當(dāng)現(xiàn)有發(fā)光器件的玻璃折射率為1.5,ITO為1.8,光從ITO到達(dá)玻璃,就會(huì)發(fā)生全反射,引起了全反射的損失,從而導(dǎo)致整體出光性能較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足,提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法以提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
本發(fā)明針對(duì)上述技術(shù)問題而提出的技術(shù)方案為:一種有機(jī)電致發(fā)光器件,該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu),該層狀結(jié)構(gòu)為:依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層;所述散射層包括金屬摻雜層與三元摻雜層;其中,
所述金屬摻雜層的材質(zhì)包括有機(jī)硅小分子與高功函數(shù)金屬,所述三元摻雜層的材質(zhì)包括有機(jī)硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物;
所述的有機(jī)硅小分子為二苯基二(o-甲苯基)硅(UGH1)、p-二(三苯基硅)苯(UGH2)、1,3-雙(三苯基硅)苯(UGH3)或p-雙(三苯基硅)苯(UGH4);
所述的空穴傳輸材料為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N′-(1-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺(NPB);
所述金屬氧化物為三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)。
進(jìn)一步地,所述的有機(jī)硅小分子與金屬的摻雜質(zhì)量比為1:2~1:5;所述有機(jī)硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物的摻雜質(zhì)量比為4:10:1~10:30:1。
進(jìn)一步地,所述高功函數(shù)金屬為銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)或金(Au)。
進(jìn)一步地,所述玻璃基底的折射率為1.8以上,可見光透過率為90%以上。所述可見光的波長(zhǎng)優(yōu)選為400nm。
進(jìn)一步地,所述金屬摻雜層的厚度為20~50nm,所述三元摻雜層的厚度為80~200nm。
進(jìn)一步地,所述陽極層的材質(zhì)為銦錫氧化物(ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZO);
所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);
所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、或N,N′-(1-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺(NPB);
所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3);
所述電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);
所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫(Cs2CO3)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF);
所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)或金(Au)。
本發(fā)明還包括一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其包括如下步驟:
(a)在玻璃基底上通過磁控濺射設(shè)備來制備陽極層;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
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