[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310438693.8
• 申請日: 2013-09-24
• 公開（公告）號: CN104466003A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件為層狀結構，該層狀結構為：依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；其特征在于，所述散射層包括金屬摻雜層與三元摻雜層；其中，

所述金屬摻雜層的材質包括有機硅小分子與高功函數(shù)金屬，所述三元摻雜層的材質包括有機硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物；

所述有機硅小分子為二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯或p-雙（三苯基硅）苯；

所述空穴傳輸材料為1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N'-（1-萘基）-?N,N'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺；

所述金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的有機硅小分子與金屬的摻雜質量比為1:2~1:5；所述有機硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物的摻雜質量比為4:10:1~10:30:1。

3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述高功函數(shù)金屬為銀、鋁、鉑或金。

4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8以上，可見光透過率為90%以上。

5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層的厚度為20~50nm?，所述三元摻雜層的厚度為80~200nm。

6.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，

所述陽極層的材質為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；

所述空穴注入層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

所述空穴傳輸層的材質為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-（1-萘基）-?N,N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺；

所述發(fā)光層的材質為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；

所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述電子注入層的材質為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。

7.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（a）在玻璃基底上通過磁控濺射設備來制備陽極層；

（b）使用熱阻蒸鍍設備在步驟（a）制得的陽極層上制備金屬摻雜層，然后在所述金屬摻雜層上制備所述三元摻雜層，從而得到所述散熱層；其中，

所述金屬摻雜層的材質包括摻雜質量比為1:2~1:5的有機硅小分子與高功函數(shù)金屬，所述三元摻雜層的材質包括摻雜質量比為4:10:1~10:30:1的有機硅小分子、空穴傳輸材料與金屬氧化物；

所述的有機硅小分子為二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯或p-雙（三苯基硅）苯；

所述的空穴傳輸材料為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-銨）三苯胺或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺；

所述金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

（c）在步驟（b）制得的散射層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，從而得到所述的有機電致發(fā)光器件。

8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟（a）中，所述磁控濺射設備的加速電壓為300~800V，磁場為50~200G，功率密度為1~40?W/cm²。

9.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟（b）中，所述熱阻蒸鍍設備的蒸鍍速率為0.1~1nm/s，所述金屬摻雜層的厚度為20~50nm，所述三元摻雜層的厚度為80~200nm。

10.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟（c）中，所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層以及所述電子傳輸層的蒸鍍速率為0.1~1nm/s，所述陰極層的蒸鍍速率為1~10nm/s。