[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310438679.8 | 申請日: | 2013-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN104466001A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;張振華;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及光電子器件領域,尤其涉及一種有機電致發光器件。本發明還涉及該有機電致發光器件的制備方法。
背景技術
1987年,美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度,高效率的雙層有機電致發光器件(OLED)。10V下亮度達到1000cd/m2,其發光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時。
現有發光器件中,器件內部的光只有18%左右是可以發射到外部去的,而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部,界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差)。具體而言,當現有發光器件的玻璃折射率為1.5,ITO為1.8,光從ITO到達玻璃,就會發生全反射,引起了全反射的損失,從而導致整體出光性能較低。
發明內容
本發明的目的在于解決上述現有技術存在的問題和不足,提供一種有機電致發光器件及其制備方法以提高有機電致發光器件的出光效率。
本發明針對上述技術問題而提出的技術方案為:一種有機電致發光器件,該有機電致發光器件為層狀結構,該層狀結構為:依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層;所述散射層包括三元摻雜層;所述三元摻雜層的材質包括功函數為-4.0~-5.5eV的高功函數金屬、熒光發光材料以及具有空穴注入能力的金屬氧化物;所述的熒光發光材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
進一步地,所述高功函數金屬、所述熒光發光材料以及所述金屬氧化物的摻雜質量比為1:2:10~3:20:40。
進一步地,所述高功函數金屬為銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)或金(Au);所述金屬氧化物為三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)。
進一步地,所述玻璃基底的折射率為1.8以上,可見光透過率為90%以上。所述可見光的波長優選為400nm。
進一步地,所述三元摻雜層的厚度為20~120nm。
進一步地,所述陽極層的材質為銦錫氧化物(ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZO);
所述空穴注入層的材質為三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);
所述空穴傳輸層的材質為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N'-(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-聯苯二胺(NPB);
所述發光層的材質為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3);
所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);
所述電子注入層的材質為碳酸銫(Cs2CO3)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)。
所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)或金(Au)。
本發明還提出一種有機電致發光器件的制備方法,其包括如下步驟:
(a)在玻璃基底上通過磁控濺射設備來制備陽極層;
(b)使用熱阻蒸鍍設備在步驟(a)制得的陽極層上制備三元摻雜層,從而得到所述散熱層;其中,所述三元摻雜層的材質包括功函數為-4.0~-5.5eV的高功函數金屬、熒光發光材料以及具有空穴注入能力的金屬氧化物;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





