[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310438679.8 | 申請日: | 2013-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN104466001A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;張振華;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232 | 代理人: | 劉抗美;劉耿 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,該有機電致發光器件為層狀結構,其特征在于,該層狀結構為:依次層疊的玻璃基底、陽極層、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層,所述散射層包括三元摻雜層;所述三元摻雜層的材質包括高功函數金屬、熒光發光材料以及具有空穴注入能力的金屬氧化物;
所述的熒光發光材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述高功函數金屬、所述熒光發光材料以及所述金屬氧化物的摻雜質量比為1:2:10~3:20:40。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述高功函數金屬為銀、鋁、鉑或金;所述金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述玻璃基底的折射率為1.8以上,可見光透過率為90%以上。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述三元摻雜層的厚度為20~120nm。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,
所述陽極層的材質為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物;
所述空穴注入層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩;
所述空穴傳輸層的材質為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-(1-萘基)-?N,N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺;
所述發光層的材質為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁;
所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;
所述電子注入層的材質為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。
7.一種有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(a)在玻璃基底上通過磁控濺射設備來制備陽極層;
(b)使用熱阻蒸鍍設備在步驟(a)制得的陽極層上制備三元摻雜層,從而得到所述散熱層;其中,所述三元摻雜層的材質包括功函數為-4.0~-5.5eV的高功函數金屬、熒光發光材料以及具有空穴注入能力的金屬氧化物;
所述熒光發光材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁;
所述高功函數金屬、所述熒光發光材料以及所述金屬氧化物的摻雜質量比為1:2:10~3:20:40;
(c)在步驟(b)制得的散射層上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層,從而得到所述的有機電致發光器件。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,在所述步驟(a)中,所述磁控濺射設備的加速電壓為300~800V,磁場為50~200G,功率密度為1~40W/cm2。
9.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,在所述步驟(b)中,所述熱阻蒸鍍設備的蒸鍍速率為10~l00W/cm2,所述三元摻雜層的厚度為100~300nm。
10.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,在所述步驟(c)中,所述空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層的蒸鍍速率為0.1~1nm/s,所述陰極層的蒸鍍速率為1~10nm/s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





