[發明專利]用于產生斷層圖像的設備和方法

有效

• 申請號: 201310435950.2
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN103829924B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 任宰均;樸龍根;張在德;俞賢昇;李性德;張祐榮;崔泫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;韓國科學技術院
• 主分類號: A61B3/14
• 分類號: A61B3/14;A61B3/12;A61B5/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 韓明星,魯恭誠

本申請要求于2012年11月26日遞交到韓國知識產權局的第10-2012-0134861號韓國專利申請的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

本公開涉及用于產生斷層圖像的設備和方法，更具體地講，涉及通過增加可觀察到的傳輸深度來產生更精確的斷層圖像的設備和方法。

背景技術

斷層掃描是一種使用穿透的波來捕獲對象的斷層圖像的技術，其被應用于各個領域。因此，獲取更精確的斷層圖像的需求增加。具體地講，在醫學診斷和治療應用中，產生更精確的斷層圖像已經成為重要的課題。

發明內容

提供了用于產生斷層圖像的設備和方法，該設備和方法通過增加可觀察到的傳輸深度來產生更精確的斷層圖像。

其它方面將在下面的描述中被部分地闡述，部分通過描述將是顯而易見的，或者可在所呈現的實施例的實踐中了解到。

根據本發明的一方面，產生斷層圖像的設備包括：檢測單元，將每一束入射光調制成基于至少兩個基本調制參數的至少兩束基本調制入射光和基于目標調制參數的目標調制入射光，并檢測出至少兩個基本干涉信號和對象的目標干涉信號；成像單元，分析所述至少兩個基本干涉信號，以輸出設定的目標調制參數，所述成像單元將目標干涉信號處理為對象的目標圖像，并輸出該目標圖像。

根據本發明的一方面，一種產生斷層圖像的方法，該方法包括：設置目標調制參數；根據目標調制參數調制入射光，以在優化的傳輸深度掃描對象；檢測掃描對象的結果并作為干涉信號；對干涉信號進行處理，以產生對象的斷層圖像，其中，目標調制參數的設置包括：對入射光執行至少兩個基本調制；掃描對象；對與每個基本調制相對應的至少兩個干涉信號的圖像信號進行分析。

附圖說明

為了使得閱讀者能更好地理解本發明的具體實施方式，提供了對每幅圖的簡要說明。

通過下面結合附圖對實施例進行的描述，這些和/或其它方面將變得明顯和更容易理解，附圖中：

圖1是根據本發明的實施例的斷層圖像產生設備的框圖；

圖2是圖1的干涉儀的視圖；

圖3是描繪圖1的調制器的操作原理的視圖；

圖4是圖1的調制器的示例的視圖；

圖5是圖1的調制器的另一示例的視圖；

圖6是圖1的調制器的又一示例的視圖；

圖7是圖1的圖像處理單元的示例的視圖；

圖8是圖1的對象的示例的視圖。

圖9是圖1的調制器的操作示例的視圖。

圖10和圖11是圖1的調制器的其他操作示例的視圖。

圖12是根據本發明的另一實施例的斷層圖像產生設備的視圖。

具體實施方式

現在對實施例進行詳細的描述，在附圖中示出了其示例，其中，相同的標號始終表示相同的部件。在這點上，本實施例可具有不同的形式，并且不應該被理解為局限于此處所闡述的描述。因此，下面僅僅對實施例進行描述，并通過參考附圖來解釋本描述的各方面。諸如“中的至少一個”的表述，當其置于元件列表之后，是修飾整個元件的列表，而不是修飾列表中的單個元件。

用于示出本發明的優選實施例的附圖被提及，以獲得對本發明及其優點以及通過本發明的實施所達到的目標的充分的理解。

在下文中，通過參照附圖對本發明的優選實施例進行解釋來詳細地描述本發明。相同的標號在附圖中表示相同的部件。

圖1是根據本發明的實施例的斷層圖像產生設備的框圖。圖2是圖1的干涉儀的視圖。

參照圖1和圖2，根據本發明的實施例的斷層圖像產生設備100可以是包括檢測單元DETC和成像單元IMU的光學相干斷層掃描（OCT）設備。

檢測單元（DTEC）將每一束入射光（IBM）調制成基于至少兩個基本調制參數的至少兩束基本調制入射光（BMOD）和基于目標調制參數（TMP）的目標調制入射光（TMOD），以檢測出對象的至少兩個基本干涉信號（CSb）和目標干涉信號（CSt）。

所述IBM可以是由光產生器（未示出）發射出來的。光產生器可以位于根據本發明的實施例的斷層圖像產生裝置100的內部或外部。IBM可以是超輻射發光二極管（SLD）信號或者邊發射發光二極管（ELED）信號。然而，本發明并不限于此，其他的光信號也可用作IBM。