[發明專利]一種單向高壓可控硅在審

申請號：	201310435186.9	申請日：	2013-09-23
公開（公告）號：	CN104465738A	公開（公告）日：	2015-03-25
發明（設計）人：	王國新	申請（專利權）人：	無錫市宏矽電子有限公司
主分類號：	H01L29/74	分類號：	H01L29/74;H01L29/06;H01L29/08
代理公司：	北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411	代理人：	曾少麗
地址：	214000 江蘇省***	國省代碼：	江蘇;32
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種單向高壓可控硅
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【權利要求書】：

1.一種單向高壓可控硅，其特征在于，包括P型陽極區（2），所述P型陽極區（2）上表面形成有N型長基區（3），所述P型陽極區（2）下表面形成有陽電極（1）；所述N型長基區（3）上表面形成有P型短基區（6）；所述P型短基區（6）上表面局部依次形成有2個N+型發射區（8）和3個N-型發射區（9），并且局部還設置有門級電極（7）；所述N+型發射區（8）和N-型發射區（9）上表面設置有陽級電極（10）；所述N型長基區（3）和P型短基區（6）上設置有內溝槽（5），所述內溝槽（5）布置在所述門級電極（7）、N+型發射區（8）、N-型發射區（9）和陽級電極（10）的外圍上。

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