[發明專利]一種單向高壓可控硅

在審

• 申請號: 201310435186.9
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN104465738A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 王國新
• 申請（專利權）人: 無錫市宏矽電子有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 曾少麗

技術領域

本發明涉及一種單向高壓可控硅。

背景技術

自然界的靜電放電(ESD)現象對集成電路的可靠性構成嚴重的威脅。在工業界，集成電路產品的失效30％都是由于遭受靜電放電現象所引起的，而且越來越小的工藝尺寸，更薄的柵氧厚度都使得集成電路受到靜電放電破壞的幾率大大增加。因此，改善集成電路靜電放電防護的可靠性對提高產品的成品率具有不可忽視的作用。

目前，生產可控硅芯片的廠家由于技術瓶頸，工藝只能做到600-800V，其他性能也達不到國際水平。現有技術中，可控硅的控制極觸發電流只能做到10-60mA，反向重復峰值電壓為600V，額定正向平均電流為1.0A，其耐壓低、容量小、體積過大，成本過高。

發明內容

本發明目的是針對現有技術存在的缺陷提供一種單向高壓可控硅。

本發明為實現上述目的，采用如下技術方案：一種單向高壓可控硅，包括P型陽極區，所述P型陽極區上表面形成有N型長基區，所述P型陽極區下表面形成有陽電極；所述N型長基區上表面形成有P型短基區；所述P型短基區上表面局部依次形成有2個N+型發射區和3個N-型發射區，并且局部還設置有門級電極；所述N+型發射區和N-型發射區上表面設置有陽級電極；所述N型長基區和P型短基區上設置有內溝槽，所述內溝槽布置在所述門級電極、N+型發射區、N-型發射區和陽級電極的外圍上。

本發明的有益效果：本發明的可控硅能在高電壓、大電流條件下工作，其具有耐高壓、容量大、體積小的特點。可廣泛應用于漏電保護，固態繼電器，家電控制器等眾多領域。

附圖說明

圖1本發明的結構示意圖。

具體實施方式

圖1所示，為一種單向高壓可控硅，包括P型陽極區2，所述P型陽極區2上表面形成有N型長基區3，所述P型陽極區2下表面形成有陽電極1；所述N型長基區3上表面形成有P型短基區6；所述P型短基區6上表面局部依次形成有2個N+型發射區8和3個N-型發射區9，并且局部還設置有門級電極7；所述N+型發射區8和N-型發射區9上表面設置有陽級電極10；所述N型長基區3和P型短基區6上設置有內溝槽5，所述內溝槽5布置在所述門級電極7、N+型發射區8、N-型發射區9和陽級電極10的外圍上。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。