[發(fā)明專利]制作高均勻度柵極線條的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310432087.5
• 申請日: 2013-09-22
• 公開（公告）號: CN103489767A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛智彪
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/027;H01L21/3213;G03F7/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種制作高均勻度柵極線條的方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體芯片的集成度不斷提高，晶體管的特征尺寸不斷縮小，對光刻工藝的挑戰(zhàn)越來越大。傳統(tǒng)的光刻工藝通常采用以高分子材料為主體的有機(jī)抗反射薄膜（bottom?anti-reflective?coating,BARC）來提高光刻工藝的能力。圖1A是襯底硅片1、有機(jī)抗反射薄膜2、和光刻膠3的結(jié)構(gòu)圖示。有機(jī)抗反射薄膜還可以擴(kuò)大刻蝕工藝的可調(diào)適范圍，提高刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)的均勻度。

在進(jìn)入45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，以傳統(tǒng)高分子材料為主體的有機(jī)抗反射薄膜越來越難以滿足光刻工藝和刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求。新的替代材料包括旋涂碳和利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition,PECVD）方法制作的無定形碳薄膜。與無定形碳工藝相比，旋涂碳不需要額外的機(jī)臺，具有低成本、成膜速度快、平滑凹凸襯底能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。通常采用旋涂碳薄膜21和旋涂含硅硬掩模薄膜22搭配替代傳統(tǒng)的有機(jī)抗反射薄膜2(圖1B)。旋涂碳薄膜21和旋涂含硅硬掩模薄膜22的搭配具有較低反射率和改善刻蝕后線條邊緣粗糙度（line-edge?roughness,LER）的優(yōu)點(diǎn)，很好地滿足光刻工藝和刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求。

柵極線寬是半導(dǎo)體器件的主要參數(shù)之一。減小線寬可以提高集成度以及減小器件尺寸。制作小線寬柵極的光刻工藝會產(chǎn)生線端收縮（line-end?shortening）。圖2A圖示了柵極線條圖形的線端收縮A。柵極線寬越小，線端收縮越A嚴(yán)重。傳統(tǒng)的方法是在光掩模上進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正（optical?proximity?correction,OPC）來矯正線端收縮（圖2B）。當(dāng)線端收縮太嚴(yán)重，所需光學(xué)臨近效應(yīng)修正的修正量太大，以至于在光掩模上相鄰兩個線端圖形形成重疊，導(dǎo)致光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法失效。在這種情況下，就不得不增加一步線端切割工藝（line-end?cut）。柵極線端切割工藝是在形成重疊線端的柵極線條之后，通過利用切割掩模版B增加的線端切割光刻和線端切割刻蝕工藝來切斷重疊的相鄰兩個線端（圖2C）。

在器件尺寸微縮進(jìn)入到32納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，單次光刻曝光無法滿足制作密集線陣列圖形所需的分辨率。雙重圖形(double?patterning)成形技術(shù)作為解決這個技術(shù)難題的主要方法被大量研究并被廣泛應(yīng)用于制作32納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的密集線陣列圖形。圖3A–圖3E圖示了雙重圖形成形技術(shù)制作密集線陣列圖形的過程。在需要制作密集線陣列圖形的襯底硅片1上，沉積襯底膜9和硬掩膜10，然后涂布第一光刻膠3(圖3A)，曝光、顯影、刻蝕后，在硬掩膜10中形成第一光刻圖形11(圖3B)，其線條和溝槽的特征尺寸比例為1:3。在此硅片上涂布第二光刻膠(5)(圖3C)，曝光和顯影后在第二光刻膠5膜中形成第二光刻圖形12(圖3D)，其線條和溝槽的特征尺寸比例也是1:3，但其位置與第一光刻圖形11交錯。繼續(xù)刻蝕在襯底硅片上形成與第一光刻圖形11交錯的第二光刻圖形12(圖3E)。第一光刻圖形11與第二光刻圖形12的組合組成了目標(biāo)線條和溝槽特征尺寸比例為1:1的密集線陣列圖形。

雙重圖形成形技術(shù)需要兩次光刻和刻蝕，即光刻—刻蝕—光刻—刻蝕。其成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)的單次曝光成形技術(shù)。降低雙重圖形成形技術(shù)的成本成為新技術(shù)開發(fā)的方向之一。美國專利US20100311244報道了在第一光刻圖形(11)顯影之后，在同一顯影機(jī)臺內(nèi)，在第一光刻膠(3)上涂布化學(xué)微縮材料(RELACS,Resolution?Enhancement?Lithography?Assisted?by?Chemical?Shrink)固化第一光刻膠(3)中第一光刻圖形(11)的方法?；瘜W(xué)微縮材料(RELACS)是含烷基氨基的丙烯酸酯高分子材料（美國專利7745077）。采用此方法后的雙重圖形成形工藝過程為光刻(顯影固化)—光刻—刻蝕。省略了原工藝中的第一刻蝕步驟，從而有效地降低了雙重圖形成形技術(shù)的成本。這種方法也稱作雙重曝光技術(shù)(double?exposure)。

極小線寬柵極的制作過程包括柵極線條光刻—柵極線條刻蝕—柵極線端切割光刻—柵極線端切割刻蝕等步驟。

但是上述方案的過程比較復(fù)雜，產(chǎn)能低成本高，并且均勻性有限。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠簡化極小線寬柵極線條的制作工藝，提高產(chǎn)能和減少制作成本，提高光刻工藝能力并且可以滿足刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求的方法。