[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310429312.X
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103489873A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 吳洪江;楊新元;袁劍峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

隨著薄膜晶體管液晶顯示技術的發展，高透過率，大尺寸，低功耗，低成本成為未來顯示面板的發展方向。顯然，簡化產品制造工藝是降低生產成本的重要途徑之一。

薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板制作過程中需要多次構圖工藝才能形成所需膜層的圖形。對于VA（Vertical?Alignment，垂直配向)模式的薄膜晶體管液晶顯示器，其陣列基板的像素電極（pixel?electrode）上還設有配向隆起物（protrusion），配向隆起物用于使同一個像素單元中的液晶分子向不同方向傾斜，從而改善從不同位置觀察時像素單元的亮度均勻性。在現有技術中，像素電極和配向隆起物的圖形是經過兩次構圖工藝分別形成的。具體地，如圖1和圖2所示，形成像素電極61的圖形包括如下步驟：

在基板上通過一次構圖工藝形成包括柵極17和柵線14的圖形；

在形成有柵極17和柵線14的上方沉積柵絕緣層2和有源層3，通過一次構圖工藝形成有源區的圖形；

在有源區3上方沉積源漏金屬層，通過一次構圖工藝形成包括數據線4、源電極15和漏電極16的圖形；

在形成有源電極15和漏電極16圖形的上方沉積鈍化層5，并通過一次構圖工藝在漏電極16上形成連通像素電極61的過孔18；

在鈍化層5上方通過一次構圖工藝形成像素電極61的圖形。

如圖3所示，形成配向隆起物94的圖形需要經過形成配向隆起物膜層、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工藝，從而經過一次構圖工藝形成配向隆起物94的圖形。

發明人發現現有技術中至少存在如下問題：經過兩次構圖工藝分別形成像素電極和配向隆起物的圖形，工藝流程較復雜，材料和設備成本較高，不利于高效節能，從而導致產品的競爭力下降。

發明內容

本發明所要解決的技術問題包括，針對現有技術中采用兩次光刻構圖工藝圖工藝形成像素電極和配向隆起物的圖形，從而使得工藝流程較復雜，材料和設備成本較高的問題，提供一種通過一次構圖工藝形成像素電極和配向隆起物的圖形的陣列基板及其制作方法和顯示裝置。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板的制作方法，包括：

形成像素電極膜層，在像素電極膜層上形成配向隆起物層；

通過階梯曝光工藝，形成在非曝光區剩余完整的配向隆起物層，在曝光區無配向隆起物層，在部分曝光區剩余部分的配向隆起物層的結構；

通過刻蝕工藝，除去無配向隆起物層區域的像素電極膜層，形成像素電極的圖形；

通過灰化工藝形成配向隆起物的圖形。

優選的是，所述階梯曝光工藝中使用的掩膜板為半色調掩膜板或灰階掩膜板。

優選的是，所述配向隆起物層為具有感光效應的有機膜層，所述階梯曝光工藝為直接對有機膜層進行曝光和顯影。

優選的是，所述有機膜是丙烯酸酯類有機膜。

優選的是，所述有機膜層的形成方式為狹縫式涂布法或旋轉涂布法。

優選的是，所述配向隆起物層的厚度在20000～間，所述在部分曝光區剩余部分的配向隆起物層的厚度在3000～間。

優選的是，所述刻蝕工藝是濕法刻蝕工藝，所述灰化工藝是干法刻蝕工藝。

優選的是，所述灰化工藝中使用的氣體為SF6和O2的混合氣體。

本發明的陣列基板的制作方法，通過一次構圖工藝形成像素電極和配向隆起物的圖形，簡化了生產工藝流程，降低了材料和設備的成本，從而提高了產品的競爭力。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，包括像素電極和配向隆起物，所述像素電極和配向隆起物是由上述陣列基板的制作方法制備的。

本發明的陣列基板由上述陣列基板的制作方法制備，因此工藝流程更為簡化，生產效率提高。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述陣列基板。

本發明的顯示裝置包括上述陣列基板，生產工藝流程的簡化使得顯示裝置的生產成本降低。

附圖說明

圖1為現有技術中陣列基板的平面示意圖；

圖2為現有技術中陣列基板A-A方向的剖視圖，其中包括了掩膜板以示意像素電極的制作；

圖3為現有技術中配向隆起物制作示意圖；

圖4為本發明實施例1的陣列基板的制作方法中的像素電極和配向隆起物制作示意圖；

圖5為本發明實施例1的陣列基板的制作方法中的像素電極層成膜后結構示意圖；