[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310429312.X
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103489873A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 吳洪江;楊新元;袁劍峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

形成像素電極膜層，在像素電極膜層上形成配向隆起物層；

通過階梯曝光工藝，形成在非曝光區剩余完整配向隆起物層，在曝光區無配向隆起物層，在部分曝光區剩余部分的配向隆起物層的結構；

通過刻蝕工藝，除去無配向隆起物層區域的像素電極膜層，形成像素電極的圖形；

通過灰化工藝形成配向隆起物的圖形。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述階梯曝光工藝中使用的掩膜板為半色調掩膜板或灰階掩膜板。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述配向隆起物層為具有感光效應的有機膜層，所述階梯曝光工藝為直接對所述有機膜層進行曝光和顯影。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有機膜是丙烯酸酯類有機膜。

5.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有機膜層的形成方式為狹縫式涂布法或旋轉涂布法。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述配向隆起物層的厚度在20000～間，所述在部分曝光區剩余部分的配向隆起物層的厚度在3000～間。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蝕工藝是濕法刻蝕工藝，所述灰化工藝是干法刻蝕工藝。

8.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述灰化工藝中使用的氣體為SF₆和O₂的混合氣體。

9.一種陣列基板，包括像素電極和配向隆起物，其特征在于，所述像素電極和配向隆起物是由權利要求1至8任意一項所述的陣列基板的制作方法制備的。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求9所述的陣列基板。