[發明專利]一種真空鍍膜制備單一取向熱敏薄膜的方法

無效

• 申請號: 201310429241.3
• 申請日: 2013-09-17
• 公開（公告）號: CN104439245A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 袁萍
• 申請（專利權）人: 無錫慧明電子科技有限公司
• 主分類號: B22F3/12
• 分類號: B22F3/12;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種真空鍍膜制備單一取向熱敏薄膜的方法，其特征在于具體步驟如下：

步驟A制備多晶靶材：采用溶膠凝膠法制備Mn-Co-Ni-O的粉體及多晶靶材。按照金屬離子化學計量比Mn∶Co∶Ni＝13∶8∶4的比例稱取醋酸鹽粉末，使用溶膠凝膠法制備得到錳鈷鎳氧粉體；取60g錳鈷鎳氧粉末，加入粘結劑，造粒、在40MPa下壓制成素胚、分段脫膠后在1050攝氏度下烘燒10小時，自然降溫至800攝氏度烘燒12小時；隨爐冷卻后取出，打磨、拋光，制得直徑61毫米，厚度約為4毫米的，致密度較好的立方相尖晶石結構的錳鈷鎳氧多晶靶材；

步驟B磁控濺射沉積錳鈷鎳氧薄膜：選用MP-3S型高真空磁控濺射鍍膜系統，打開腔室，將清洗干凈的白寶石襯底片放置于旋轉臺面上，蓋上真空腔腔蓋，抽取背景真空至5×10^-4pa，通氬氣流，選取45度偏靶射頻濺射模式，濺射功率為60-80W，工作電壓為220V，在純氬氣氛下進行濺射；氬氣分壓為0.4Pa基片與靶材之的距離為25cm，薄膜生長過程中襯底溫度為200攝氏度，根據濺射功率和濺射時間控制所制備薄膜的厚度在120nm-230nm之間，濺射完成后，關閉氬氣，關閉分子泵，緩慢降溫到150攝氏度，關閉機械泵，打開放氣閥，待旋轉臺面溫度降至室溫后將樣品取出；

步驟C退火處理：將獲得的薄膜及襯底片放置在快速退火爐中于750攝氏度：退火30分鐘至1個小時，待爐體降至室溫后取出樣品片。