[發(fā)明專利]用于薄膜沉積的掩膜框架組件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310428576.3
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103855325A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳允燦;李忠浩
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L31/18
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 李文穎;周艷玲

相關(guān)專利申請的交叉引用

本申請要求于2012年11月30日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請第10-2012-0138521號的優(yōu)先權(quán)和利益，其公開內(nèi)容通過引用全部合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種用于薄膜沉積的掩膜框架組件，其能夠減少或防止掩膜的變形。

背景技術(shù)

通常，包括薄膜晶體管（TFT）的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備被用于諸如數(shù)字照相機(jī)、視頻照相機(jī)、便攜式攝像機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（PDA）、智能手機(jī)、平板個(gè)人計(jì)算機(jī)（PC）和柔性顯示設(shè)備的移動(dòng)設(shè)備或諸如超薄電視（TV）和超薄膝上型計(jì)算機(jī)的電子和電氣產(chǎn)品。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括形成在基板上的第一電極和第二電極以及形成在第一電極與第二電極之間的有機(jī)發(fā)射層。第一電極、第二電極和有機(jī)發(fā)射層使用諸如光刻方法或沉積方法的各種方法形成。

光刻方法為通過將光致抗蝕劑涂覆在基板的預(yù)定區(qū)域上來形成期望圖案層的濕法蝕刻方法。然而，在光刻方法中，在移除光致抗蝕劑期間，濕氣可穿入有機(jī)發(fā)射層。如此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的性能和壽命特性久而久之可極大地惡化。

沉積方法為通過將具有與薄膜層相同圖案的精細(xì)金屬掩膜沉積在基板上并通過將用于形成薄膜層的原材料沉積在基板上來形成期望圖案層的方法。

然而，當(dāng)掩膜被安裝在掩膜框架上時(shí)，由于施加到掩膜的張力，在掩膜上可產(chǎn)生波形皺褶。如果皺褶產(chǎn)生，則掩膜可能不緊密接觸基板，這可由此防止形成精細(xì)圖案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于薄膜沉積的掩膜框架組件，該掩膜框架組件能夠減少或防止在將掩膜安裝在掩膜框架上時(shí)產(chǎn)生的皺褶。

根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種用于薄膜沉積的掩膜框架組件，所述掩膜框架組件包括：具有開口的掩膜框架；和掩膜，該掩膜被構(gòu)造為被聯(lián)接到所述掩膜框架，并包括面對沉積基板的第一表面、與所述第一表面相反的第二表面和具有變化的厚度的防變形部。

所述掩膜進(jìn)一步包括：沉積區(qū)域，所述沉積區(qū)域中的每個(gè)均包括沿著所述掩膜的第一方向彼此隔開的沉積圖案；所述沉積區(qū)域中相鄰的沉積區(qū)域之間的肋；和沿著所述掩膜的與所述第一方向相交的第二方向的在所述沉積區(qū)域的邊緣處的邊界，并且所述防變形部可在所述邊界處。

所述掩膜可被構(gòu)造為沿所述第一方向被拉伸，并且所述掩膜的兩個(gè)端部分可被構(gòu)造為被焊接到所述掩膜框架。

所述掩膜可包括多個(gè)拼合掩膜，所述第一方向可為所述拼合掩膜的長度方向，并且所述第二方向可為所述拼合掩膜的寬度方向。

所述掩膜的寬度可小于所述掩膜的長度，并且所述掩膜可被構(gòu)造為沿所述掩膜的長度方向被拉伸。

所述防變形部可在所述邊界處沿著所述掩膜的所述第一方向延伸，并且所述防變形部可包括具有第一厚度的多個(gè)第一部分和具有比所述第一厚度小的第二厚度的多個(gè)第二部分。

所述防變形部可包括多個(gè)防變形區(qū)域，并且所述防變形區(qū)域可包括沿著所述掩膜的所述第一方向交替布置的所述第一部分和所述第二部分。

所述邊界中的每個(gè)均可包括沿著所述掩膜的所述第二方向的多個(gè)線條，并且所述防變形區(qū)域中對應(yīng)的防變形區(qū)域可沿著所述第一方向位于每個(gè)線條中。

所述防變形區(qū)域沿所述第二方向的寬度可小于所述沉積區(qū)域沿所述第一方向的寬度，并可小于所述肋沿所述第一方向的寬度。

所述防變形區(qū)域中的每個(gè)沿所述第一方向的尺寸可對應(yīng)于所述第一部分或所述第二部分之一。

所述第一部分沿所述掩膜的厚度方向可不被蝕刻，并且所述第二部分沿所述掩膜的所述厚度方向可被半蝕刻。

所述第二部分可包括所述掩膜的從所述第二表面被半蝕刻的區(qū)域，并可具有比所述掩膜的其它部分的厚度小的厚度。

所述肋中的每個(gè)均可在相鄰的沉積區(qū)域之間，并可包括被半蝕刻的第一區(qū)域以及未被半蝕刻的第二區(qū)域。

所述肋的所述第二區(qū)域可具有至少一個(gè)虛擬圖案。

所述虛擬圖案可包括點(diǎn)形縫隙圖案或長條形縫隙圖案。

所述肋沿所述第一方向的寬度可小于所述沉積區(qū)域沿所述第一方向的寬度。

所述掩膜在所述沉積區(qū)域的沿著所述第一方向的外側(cè)可進(jìn)一步包括半?yún)^(qū)域、固定區(qū)域和具有虛擬沉積圖案的虛擬沉積區(qū)域。

所述固定區(qū)域沿所述掩膜的厚度方向可不被蝕刻，并可被構(gòu)造為被焊接到所述掩膜框架。

所述掩膜框架組件可進(jìn)一步包括從所述沉積區(qū)域的外側(cè)向所述掩膜的端部按順序布置的第一半?yún)^(qū)域、第一固定區(qū)域、第二半?yún)^(qū)域、虛擬沉積區(qū)域和第二固定區(qū)域。

所述沉積圖案可包括點(diǎn)形縫隙圖案或長條形縫隙圖案。