[發明專利]一種穩定性強且電導率高的單層石墨烯薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201310428026.1
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103482622A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 陽曉宇;盧毅;蘇寶連
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: C01B31/04
• 分類號: C01B31/04
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 鄔麗明;唐萬榮

1.一種穩定性強且電導率高的單層石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，它包括以下步驟：

1）將基片親水化處理；

2）將親水處理后的基片浸泡在新配置的硅烷偶聯劑溶液中，浸泡時間為1-2小時；

3）取出經硅烷偶聯劑溶液浸泡的基片，清洗，得到改性基片；

4）氧化還原法制備單層石墨烯溶液；

5）在室溫條件下將步驟3）得到的改性基片浸入步驟4）的石墨烯溶液中，浸泡時間為5-20分鐘，然后取出基片，將基片真空干燥即得到單層石墨烯薄膜。

2.如權利要求1所述的單層石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2）中的硅烷偶聯劑為氨基硅烷類偶聯劑或雙烷氧硅基類硅烷偶聯劑。

3.如權利要求1所述的單層石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2）中的硅烷偶聯劑溶液中的溶劑為丙酮或者N,N-二甲基甲酰胺，所述硅烷偶聯劑與溶劑體積比1:500-1:1000，水解時間1-2小時，溫度20-50℃。

4.如權利要求1所述的單層石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟5）中的真空干燥的溫度為90℃、干燥時間為1小時。

5.如權利要求1所述的單層石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，所述基片為硅片、玻璃片、氧化銦錫片、摻氟氧化錫片、或氧化鋁片。

6.如權利要求1所述的單層石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟4）中制備單層石墨烯溶液的具體方法為：將氧化還原法制備的羧基化石墨烯溶液過濾、超聲、離心，反復數次得到單層石墨烯溶液。