[發(fā)明專利]取向織構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310426257.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103498182A | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘登余;李珍;黃河;薛琪;王雪嫄;吳明紅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C25D11/26 | 分類號(hào): | C25D11/26 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 陸聰明 |
| 地址: | 200444*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 取向 氧化 納米 陣列 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
????本發(fā)明涉及一種二氧化鈦納米管陣列的制備方法,特別是一種取向織構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列的制備方法。
背景技術(shù)
在最近十多年中,納米半導(dǎo)體在各種領(lǐng)域的應(yīng)用被廣泛研究,這是由于納米半導(dǎo)體不僅具有體相性質(zhì)如化學(xué)穩(wěn)定性、電導(dǎo)、高催化性能,還擁有帶隙的存在導(dǎo)致的獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)、催化、磁性質(zhì)。其中,納米管陣列由于具有納米級(jí)的孔徑尺寸、高比表面積等獨(dú)特的結(jié)構(gòu),使得這種材料具有獨(dú)特的物理、化學(xué)性能,在材料學(xué)領(lǐng)域具有不可取代的地位。
二氧化鈦納米管陣列在能源領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用,TiO2納米管陣列由自身高度有序的管狀結(jié)構(gòu)決定其表面具有很好的吸附性,其比表面積大且排列整齊,能夠比納米多孔薄膜吸附更多的染料分子,而且?guī)缀跄軌蚴谷咳玖戏肿佣寂c?TiO2分子直接接觸,光生載流子的界面電子轉(zhuǎn)移速度快,因而具有更為優(yōu)異的光吸收特性,同時(shí)也提高了光電轉(zhuǎn)換性能,并且其具有制作工藝簡(jiǎn)單和制作成本低廉的特點(diǎn),因此在染料敏化太陽(yáng)能電池中已成為理想的材料。另外,其高度有序的管狀結(jié)構(gòu)為鋰電池及超級(jí)電容器提供導(dǎo)電通道,可以為鋰離子的吸附和轉(zhuǎn)移提供通道。因此,作為能源存儲(chǔ)應(yīng)用時(shí),面臨的一個(gè)重要問題就是提高二氧化鈦納米管的導(dǎo)電性。目前制備高度取向織構(gòu)的方法大多數(shù)為摻雜法,其主要問題是稀土金屬重金屬等摻雜成本太高,污染嚴(yán)重,難以得到純凈的二氧化鈦。?
在制備高度取向織構(gòu)的二氧化鈦中,Hua?Gui?Yang首先采用在前驅(qū)物四氟化鈦中加入氫氟酸作為形貌控制劑得到高暴露(001)面的二氧化鈦納米晶,隨后又有人跟進(jìn)做了大量的工作,提高(001)暴露面的比例,將得到的納米晶用于各個(gè)領(lǐng)域,均取得了不錯(cuò)的效果。A.?Ali等人通過摻釹來調(diào)控二氧化鈦納米薄膜的織構(gòu),提高了(004)面的強(qiáng)度。Sangwook?Lee等人的研究說明通過調(diào)節(jié)陽(yáng)極氧化法制備過程中水的含量來達(dá)到調(diào)控織構(gòu)的目的,但這不是取向織構(gòu)的調(diào)控的關(guān)鍵因素,由于制備出的鈦管是非晶存在的,只有通過退火才能結(jié)晶,所以退火條件應(yīng)該是調(diào)控織構(gòu)的關(guān)鍵因素。我們組曾經(jīng)采用在氮?dú)庵型嘶鸩诫s鉛得到了有一定取向織構(gòu)的材料,但其取向織構(gòu)不強(qiáng),而且采用重金屬危害環(huán)境。
對(duì)于陽(yáng)極氧化法制備的二氧化鈦納米管陣列,一直沿用空氣退火這種傳統(tǒng)工藝,得到的鈦管沒有取向織構(gòu),因而導(dǎo)電性比較差,大大限制了實(shí)際應(yīng)用的性能表現(xiàn)。所以,用一種快速、簡(jiǎn)便、高效的方法制備出具有高度取向織構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列結(jié)構(gòu)是十分有必要的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種簡(jiǎn)便、快捷地制備高度取向織構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列的方法。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種取向織構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列的制備方法,其特征在于該方法的具體步驟為:
a.?采用陽(yáng)極氧化法,將預(yù)處理后的鈦片進(jìn)行二次陽(yáng)極氧化,異丙醇超聲清洗以洗掉納米管陣列表面殘留的電解質(zhì)以及雜質(zhì),得到TiO2納米管陣列;
b.將步驟a?所得TiO2納米管陣列以0.5-1.5℃/min?的升溫速度升溫至400-500℃,在真空退火保溫1-3h,再以和0.5-1.5℃/min?的降溫速率降至室溫,即得到取向織構(gòu)的二氧化鈦納米管陣列。
上述的鈦片的預(yù)處理方法為:配制HF,HNO3,H2O體積比為1:4:5的拋光液,將鈦片浸入拋光液中60s進(jìn)行拋光,隨后用去離子水洗凈,然后用N2吹干。
上述的陽(yáng)極氧化法中所用的電解質(zhì)是由NH4F、H2O和乙二醇按0.3:2:97.7的質(zhì)量比配制而成的,陽(yáng)極氧化的電壓為50v,時(shí)間為2小時(shí)。
????本發(fā)明制備的二氧化鈦納米管陣列結(jié)構(gòu)有序,孔徑100nm左右,管壁厚度10nm左右,?在真空退火的條件下可得高度結(jié)晶有序的二氧化鈦納米管陣列,?其超級(jí)電容容量達(dá)到9.44?mF?cm-2,鋰電池達(dá)到319?mAh?g-1,通過以上數(shù)據(jù)可知,本發(fā)明制備的高度結(jié)晶趨向的二氧化鈦納米管陣列在能源存儲(chǔ)方面具有很大前景。
????本發(fā)明方法的優(yōu)點(diǎn)是:制備方法簡(jiǎn)便,可以工業(yè)放大。制備過程不產(chǎn)生環(huán)境污染物,屬于環(huán)境友好型制備工藝。其超級(jí)電容器容量是普通退火條件的幾百倍。其鋰電池容量是普通退火條件的1.5倍。
????本發(fā)明采用的退火設(shè)備是配有機(jī)械泵的管式爐。
附圖說明
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