[發明專利]取向織構的二氧化鈦納米管陣列的制備方法無效
| 申請號： | 201310426257.9 | 申請日： | 2013-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN103498182A | 公開（公告）日： | 2014-01-08 |
| 發明（設計）人： | 潘登余;李珍;黃河;薛琪;王雪嫄;吳明紅 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陸聰明 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 取向 氧化 納米 陣列 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種取向織構的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于該方法的具體步驟為：
a.?采用陽極氧化法，將預處理后的鈦片進行二次陽極氧化，異丙醇超聲清洗以洗掉納米管陣列表面殘留的電解質以及雜質，得到TiO2納米管陣列；
b.將步驟a?所得TiO2納米管陣列以0.5-1.5℃/min?的升溫速度升溫至400-500℃，在真空退火保溫1-3h，再以和0.5-1.5℃/min?的降溫速率降至室溫，即得到取向織構的二氧化鈦納米管陣列。
2.根據權利要求1所述的取向織構的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于所述的鈦片的預處理方法為：配制HF，HNO3，H2O體積比為1：4：5的拋光液，將鈦片浸入拋光液中進行拋光，隨后用去離子水洗凈，然后用N2吹干。
3.根據權利要求1所述的取向織構的二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于所述的陽極氧化法中所用的電解質是由NH4F、H2O和乙二醇按0.3?:?2?:?97.7的質量比配制而成的，陽極氧化的電壓為45-55v，時間為1-3小時。
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