[發(fā)明專利]金屬遮罩有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310424966.3 | 申請日: | 2013-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN103572205A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許桀豪;謝豐仰 | 申請(專利權(quán))人: | 景智電子股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種金屬遮罩;具體而言,本發(fā)明關(guān)于一種具抗拉力設(shè)計的金屬遮罩。
背景技術(shù)
由于有機發(fā)光二極管顯示器的低耗電、厚度薄及自發(fā)光等特性,近年來備受重視。在有機發(fā)光二極管顯示器制作工藝中,蒸鍍過程的品質(zhì)好壞將直接影響有機發(fā)光二極管顯示器的合格率,其中,金屬遮罩是蒸鍍過程的重要元件之一。圖1為傳統(tǒng)金屬遮罩10俯視圖,如圖1所示,傳統(tǒng)金屬遮罩10為一狹長薄片,在延長方向上具有數(shù)個遮罩本體12。在蒸鍍過程中,每一遮罩本體12的位置對應(yīng)一個基板。遮罩本體12具有許多細(xì)微的孔洞結(jié)構(gòu),使蒸鍍時能讓液晶分子通過孔洞結(jié)構(gòu)而在基板上形成鍍膜,并形成特定的排列形狀。由此可知,在蒸鍍時保持傳統(tǒng)金屬遮罩10的表面平整及水平放置與有機發(fā)光二極管顯示器的合格率密切相關(guān)。
如圖1所示,進(jìn)行蒸鍍之前,為了使傳統(tǒng)金屬遮罩10表面平整及保持水平放置,傳統(tǒng)金屬遮罩10兩端受夾具14施予張力(如圖1箭頭方向所示),薄片狀的傳統(tǒng)金屬遮罩10因拉伸作用而在寬度方向產(chǎn)生壓縮應(yīng)力。然而,當(dāng)拉伸力超過臨界值時,寬度方向上的應(yīng)力過大而使得傳統(tǒng)金屬遮罩10表面出現(xiàn)皺折。一旦金屬遮罩表面起皺,由于平整度改變,勢必影響液晶分子通過遮罩本體12的路徑,造成蒸鍍品質(zhì)不良。為了避免上述平整度改變的情形,傳統(tǒng)金屬遮罩的結(jié)構(gòu)仍有待改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種金屬遮罩,以減少金屬遮罩在蒸鍍時因拉伸而產(chǎn)生皺折的情形。
金屬遮罩包含遮罩區(qū)段及端部區(qū)段。遮罩區(qū)段具有遮罩本體以及外框部圍繞連接遮罩本體。端部區(qū)段連接遮罩區(qū)段的一端。遮罩區(qū)段及端部區(qū)段至少其一上形成有至少一凹陷部位于遮罩本體之外。凹陷部內(nèi)的容積總和與遮罩區(qū)段及端部區(qū)段的體積總和的比值介于0.087至0.667之間。
上述的遮罩,其中這些凹陷部包含至少一遮罩區(qū)段凹陷部形成于該外框部的表面,這些遮罩區(qū)段凹陷部內(nèi)的容積總和與該遮罩區(qū)段的體積的比值介于0.087至0.667之間。
上述的遮罩,其中該遮罩區(qū)段形成為長條形,部分這些遮罩區(qū)段凹陷部沿該遮罩區(qū)段的延長方向延伸并位于該遮罩本體的兩側(cè)。
上述的遮罩,其中該遮罩區(qū)段形成為長條形,部分這些遮罩區(qū)段凹陷部橫切該遮罩區(qū)段的延長方向延伸并位于相鄰該遮罩本體之間。
上述的遮罩,其中這些凹陷部包含至少一端部區(qū)段凹陷部形成于該端部區(qū)段的表面,這些端部區(qū)段凹陷部內(nèi)的容積總和與該端部區(qū)段的體積的比值介于0.087至0.667之間。
上述的遮罩,其中該遮罩區(qū)段及該端部區(qū)段具有共同的一蒸鍍面及與該蒸鍍面相背的一背面,至少部分該凹陷部形成于該蒸鍍面上。
上述的遮罩,其中該遮罩區(qū)段及該端部區(qū)段具有共同的一蒸鍍面及與該蒸鍍面相背的一背面,至少部分該凹陷部形成于該背面上。
上述的遮罩,其中該遮罩區(qū)段及該端部區(qū)段具有共同的一蒸鍍面及與該蒸鍍面相背的一背面,至少部分該凹陷部內(nèi)含多個穿孔貫穿該蒸鍍面及該背面。
上述的遮罩,其中該遮罩區(qū)段及該端部區(qū)段具有共同的一蒸鍍面及與該蒸鍍面相背的一背面,至少部分該凹陷部形成于該蒸鍍面上,至少部分該凹陷部形成于該背面上并與形成于該蒸鍍面上的這些凹陷部相對。
上述的遮罩,其中分別形成于該蒸鍍面及該背面的相對這些凹陷部具有相異深度。
上述的遮罩,其中該遮罩區(qū)段及該端部區(qū)段具有共同的一蒸鍍面及與該蒸鍍面相背的一背面,相鄰的這些凹陷部分別形成于該蒸鍍面及該背面上。
上述的遮罩,其中該遮罩區(qū)段及該端部區(qū)段具有共同的一蒸鍍面及與該蒸鍍面相背的一背面,相鄰的這些凹陷部分別形成于該蒸鍍面及該背面之一上及具有多個穿孔貫穿該蒸鍍面及該背面。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明中凹陷部可設(shè)置在遮罩區(qū)段及端部區(qū)段,使金屬遮罩具有不同的厚度,并借此改變金屬遮罩應(yīng)力分布,以降低皺折發(fā)生情形,同時使金屬遮罩保持平整以提高生產(chǎn)合格率。
附圖說明
圖1為傳統(tǒng)金屬遮罩俯視圖;
圖2A為本發(fā)明金屬遮罩俯視圖;
圖2B及圖2D為凹陷部的實施例放大剖視圖;
圖3為凹陷部體積大小與皺折程度的關(guān)系圖;
圖4A至圖4C為凹陷部的不同實施例放大剖視圖;
圖5為不同種類凹陷部產(chǎn)生皺折程度的比較圖;
圖6為本發(fā)明金屬遮罩的另一實施例俯視圖;
圖7為本發(fā)明金屬遮罩的另一實施例俯視圖。
其中,附圖標(biāo)記:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于景智電子股份有限公司,未經(jīng)景智電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310424966.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:公路波浪形護(hù)欄板螺栓拆卸器
- 下一篇:一種感應(yīng)加熱爐灶
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





