[發(fā)明專利]CMOS工藝恒定增益放大器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310424308.4
• 申請(qǐng)日: 2013-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN104467719A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何陽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 何陽
• 主分類號(hào): H03G3/30
• 分類號(hào): H03G3/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子領(lǐng)域，涉及一種CMOS工藝恒定增益放大器。

背景技術(shù)

CMOS（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

運(yùn)算放大器（簡稱“運(yùn)放”）是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實(shí)際電路中，通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡(luò)共同組成某種功能模塊。由于早期應(yīng)用于模擬計(jì)算機(jī)中，用以實(shí)現(xiàn)數(shù)學(xué)運(yùn)算，故得名“運(yùn)算放大器”。運(yùn)放是一個(gè)從功能的角度命名的電路單元，可以由分立的器件實(shí)現(xiàn)，也可以實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片當(dāng)中。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，大部分的運(yùn)放是以單芯片的形式存在。運(yùn)放的種類繁多，廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)當(dāng)中。?

采用差分形式的運(yùn)算放大器是集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的基本結(jié)構(gòu)，運(yùn)算放大器的增益隨輸入差分電壓值的變化而起伏，不能實(shí)現(xiàn)在一定電壓變化范圍內(nèi)的恒定增益。

?

發(fā)明內(nèi)容

為克服現(xiàn)有技術(shù)的運(yùn)算放大器增益會(huì)隨輸入差分電壓變化的技術(shù)缺陷，本發(fā)明提供一種CMOS工藝恒定增益放大器。

CMOS工藝恒定增益放大器，基于CMOS工藝，包括輸入級(jí)對(duì)管和負(fù)載，其特征在于：所述輸入級(jí)對(duì)管的非公共端之間還連接有阻值R符合GM*R>A的電阻器件，其中GM為輸入級(jí)對(duì)管跨導(dǎo)，A為預(yù)設(shè)的離散參數(shù)。?

優(yōu)選的，所述電阻器件為柵極接地的NMOS。??

進(jìn)一步的，負(fù)載對(duì)管為NMOS，所述電阻器件與負(fù)載對(duì)管類型尺寸均相同。

進(jìn)一步的，所述負(fù)載管為外接偏置電壓的電流鏡。

進(jìn)一步的，所述電阻器件5阻值為2-10M歐姆。

進(jìn)一步的，所述電阻器件為輕摻雜多晶硅電阻。

優(yōu)選的，A=10。

采用本發(fā)明所述CMOS工藝恒定增益放大器，用于電阻器件對(duì)流過兩個(gè)差分之路的電流進(jìn)行分流，使輸入級(jí)的漏極電壓近似，從而對(duì)輸入級(jí)對(duì)管的跨導(dǎo)進(jìn)行了平衡，運(yùn)算放大器的增益跟隨輸入差分電壓變化而的幅度大大縮小。

附圖說明

圖1示出本發(fā)明一種具體實(shí)施方式的示意圖；

各圖中附圖標(biāo)記為1-第一輸入端2-第二輸入端?3-第一偏置端?4-第二偏置端?5-電阻器件。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

本發(fā)明所述CMOS工藝恒定增益放大器，基于CMOS工藝，包括輸入級(jí)對(duì)管和負(fù)載，其特征在于：所述輸入級(jí)對(duì)管的非公共端之間還連接有阻值R符合GM*R>A的電阻器件，其中GM為輸入級(jí)對(duì)管跨導(dǎo)，A為預(yù)設(shè)的離散參數(shù)。

如圖1所示出本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方式，第一輸入端1和第二輸入端2分別連接輸入對(duì)管的柵極，第一偏置端3連接偏置P管柵極，第二偏置端4連接負(fù)載N管柵級(jí)，在輸入對(duì)管的漏極之間連接有電阻器件5，由于GM*R>A，使得增益隨跨導(dǎo)變化不再明顯，從而使輸入電壓變化時(shí)，輸入對(duì)管的跨導(dǎo)變化不至于引起運(yùn)算放大器增益的顯著變化。?A優(yōu)選可以取10?。

優(yōu)選的，所述電阻器件為柵極接地的NMOS。??

進(jìn)一步的，負(fù)載對(duì)管為NMOS，所述電阻器件與負(fù)載對(duì)管類型尺寸均相同。方便匹配以提高電路性能。

進(jìn)一步的，所述負(fù)載管為外接偏置電壓的電流鏡。

進(jìn)一步的，所述電阻器件5阻值為2-10M歐姆。可以滿足一般應(yīng)用情況。

進(jìn)一步的，所述電阻器件為輕摻雜多晶硅電阻。在各種集成電路工藝中便于實(shí)現(xiàn)，且單位阻值較高，占用面積小。

采用本發(fā)明所述CMOS工藝恒定增益放大器，用于電阻器件對(duì)流過兩個(gè)差分之路的電流進(jìn)行分流，使輸入級(jí)的漏極電壓近似，從而對(duì)輸入級(jí)對(duì)管的跨導(dǎo)進(jìn)行了平衡，運(yùn)算放大器的增益跟隨輸入差分電壓變化而的幅度大大縮小。

以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，因此凡是運(yùn)用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。