[發明專利]CMOS工藝恒定增益放大器無效
| 申請號： | 201310424308.4 | 申請日： | 2013-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN104467719A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 何陽 | 申請（專利權）人： | 何陽 |
| 主分類號： | H03G3/30 | 分類號： | H03G3/30 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 工藝 恒定 增益 放大器 | ||
【權利要求書】：
1.CMOS工藝恒定增益放大器，基于CMOS工藝，包括輸入級對管和負載，其特征在于：所述輸入級對管的非公共端之間還連接有阻值R符合GM*R>A的電阻器件，其中GM為輸入級對管跨導，A為預設的離散參數。
2.一種如權利要求1所述CMOS工藝恒定增益放大器，其特征在于，所述電阻器件（5）為柵極接地的NMOS。
3.一種如權利要求2所述CMOS工藝恒定增益放大器，其特征在于，負載對管為NMOS，所述電阻器件與負載對管類型尺寸均相同。
4.一種如權利要求1所述CMOS工藝恒定增益放大器，其特征在于，所述負載管為外接偏置電壓的電流鏡。
5.一種如權利要求1所述CMOS工藝恒定增益放大器，其特征在于，所述電阻器件5阻值為2-10M歐姆。
6.一種如權利要求1所述CMOS工藝恒定增益放大器，其特征在于，所述電阻器件為輕摻雜多晶硅電阻。
7.一種如權利要求1所述CMOS工藝恒定增益放大器，其特征在于：A=10。
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