[發明專利]橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201310424148.3
• 申請日: 2013-09-17
• 公開（公告）號: CN103715260A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 瑪利安烏德瑞·斯班內;法瑞爾瑪瑞納斯科
• 申請（專利權）人: 凹凸電子(武漢)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述晶體管包括：

第一導電類型的第一阱；

形成于所述第一阱內的第二導電類型的源極；

形成于所述第一阱內并與所述源極分開的所述第二導電類型的漂移區；

形成于所述漂移區內的所述第二導電類型的漏極；及

形成于所述漂移區內并與所述漏極分開的所述第二導電類型的集中器，所述集中器至所述源極的第一距離小于所述漏極至所述源極的第二距離。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述集中器為所述第二導電類型的島區域。

3.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括：

形成于所述漂移區內并位于所述集中器和所述漏極之間的窗，所述窗構成耦合于所述集中器和所述漏極之間的電阻。

4.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述漏極包括兩個漏極區域，所述集中器形成于所述兩個漏極區域之間。

5.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述集中器的摻雜濃度大于所述漂移區的摻雜濃度。

6.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括：

形成于所述第一阱內并低于所述漂移區的所述第二導電類型的第二阱。

7.根據權利要求6所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括：

形成于所述第一阱和所述橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的襯底之間的所述第二導電類型的埋層，所述第二阱的邊界延伸至所述埋層，所述埋層和所述第二阱將所述第一阱和所述第一導電類型的其他區域分開。

8.根據權利要求6所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述第二阱的第一邊界至所述集中器的第二邊界的第一水平距離小于所述漂移區的第三邊界至所述第二邊界的第二水平距離。

9.根據權利要求6所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述第二阱的摻雜濃度低于所述漂移區的摻雜濃度。

10.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述集中器包括多個所述第二導電類型的各自分開的島區域。

11.一種制造橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在第一導電類型的第一阱內形成第二導電類型的源極；

在所述第一阱內形成所述第二導電類型的漂移區，所述漂移區與所述源極分開；

在所述漂移區內形成所述第二導電類型的漏極；及

在所述漂移區內形成所述第二導電類型的集中器，所述集中器與所述漏極分開，所述集中器至所述源極的第一距離小于所述漏極至所述源極的第二距離。

12.根據權利要求11所述的制造橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟：在所述第一阱內低于所述漂移區處形成所述第二導電類型的第二阱。

13.根據權利要求12所述的制造橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟：

在所述橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的襯底上方形成所述第二導電類型的埋層；以及

在所述埋層上方形成所述第一阱；

其中，所述第二阱的邊界延伸至所述埋層，所述埋層和所述第二阱將所述第一阱和所述第一導電類型的其他區域分開。

14.根據權利要求12所述的制造橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述第二阱的第一邊界至所述集中器的第二邊界的第一水平距離小于所述漂移區的第三邊界至所述第二邊界的第二水平距離。

15.根據權利要求11所述的制造橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟：

在所述漂移區內所述集中器和所述漏極之間形成窗，所述窗構成耦合于所述集中器和所述漏極之間的電阻。

16.根據權利要求11所述的制造橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管的方法，其特征在于，所述漏極包括兩個漏極區域，所述集中器形成于所述兩個漏極區域之間。