[發明專利]一種肖特基芯片專用外延片的生長方法

在審

• 申請號: 201310423509.2
• 申請日: 2013-09-17
• 公開（公告）號: CN103489761A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 徐林海;黃力平;朱春生;張瑞麗;周詩雨
• 申請（專利權）人: 杭州立昂微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 吳秉中

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種肖特基芯片專用外延片生長方法。

背景技術

目前市場對肖特基芯片的正向壓降(Vf)及抗ESD能力的要求越來越高，已經成為衡量芯片性能優劣的兩項非常重要的指標。但是目前采用常規外延片生產加工的肖特基芯片難以做到正向(Vf)參數及抗ESD能力都兼顧。而在高端市場中對肖特基芯片的正向（Vf）參數及抗ESD能力都有相當嚴格的要求，因此常規的肖特基芯片在高端市場中的應用將會受到較大的影響。

發明內容

為了克服上述現有技術的不足，本發明提供了一種肖特基芯片專用的外延片生長方法，包括如下步驟：在高溫環境下，先采用H2+HCL對硅片進行預處理；然后在硅片表面淀積一定厚度的不摻雜的純硅；接著，按照一定的比例調整摻雜量，使得外延片的過渡層的電阻率呈線性變化，并且具有一定的斜率。

進一步的，通過調節摻雜量及硅沉積速率來控制電阻率曲線的斜率。

進一步的，所述線性變化為線性增大。

進一步的，達到外延片需要的電阻率值后，再進行穩定濃度的摻雜。

進一步的，摻雜濃度變化和外延片電阻率變化呈對應關系。

進一步的，不同斜率的外延片用于不同規格的肖特基芯片。

本發明的肖特基芯片專用的外延片生長方法制造的外延片來生產肖特基芯片，可以使得芯片的正向（Vf）參數及抗ESD能力都非常優良。

附圖說明

圖1為外延片摻雜濃度曲線圖；

圖2為外延片電阻率變化曲線圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步說明。

本發明的肖特基芯片專用外延片生長方法，采用如下步驟進行：

如圖1和2所示，在1150℃左右的高溫環境下，先采用H2+HCL對硅片進行預處理。然后在拋光片表面淀積一定厚度的（一般為0.2um）不摻雜的純硅，用來抑制拋光片中的雜質溢出。接下來按照一定的比例調整摻雜量，使得外延片的過渡層的電阻率曲線呈線性變化，并且具有一定的斜率。達到外延片需要的電阻率值后，再進行穩定濃度的摻雜。通過調節摻雜量及硅沉積速率，可以調節電阻率曲線的斜率。

用本方法加工的外延片作為基礎材料來生產肖特基芯片，可以使得芯片具有低的正向導通電阻及高的抗靜電（ESD）能力。