[發明專利]一種肖特基芯片專用外延片的生長方法在審
| 申請號： | 201310423509.2 | 申請日： | 2013-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN103489761A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 徐林海;黃力平;朱春生;張瑞麗;周詩雨 | 申請（專利權）人： | 杭州立昂微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 吳秉中 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 肖特基 芯片 專用 外延 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種肖特基芯片專用的外延片生長方法，包括如下步驟：在高溫環境下，先采用H2+HCL對硅片進行預處理；然后在硅片表面淀積一定厚度的不摻雜的純硅；接著，按照一定的比例調整摻雜量，使得外延片的過渡層的電阻率呈線性變化，并且具有一定的斜率。
2.根據權利要求1所述的肖特基芯片專用的外延片生長方法，其特征在于：通過調節摻雜量及硅沉積速率來控制電阻率曲線的斜率。
3.根據權利要求1所述的肖特基芯片專用的外延片生長方法，其特征在于：所述線性變化為線性增大。
4.根據權利要求1所述的肖特基芯片專用的外延片生長方法，其特征在于：達到外延片需要的電阻率值后，再進行穩定濃度的摻雜。
5.根據權利要求1所述的肖特基芯片專用的外延片生長方法，其特征在于：摻雜濃度變化和外延片電阻率變化呈對應關系。
6.根據權利要求2所述的肖特基芯片專用的外延片生長方法，其特征在于：不同斜率的外延片用于不同規格的肖特基芯片。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
