[發(fā)明專利]基于三個或更多個狀態(tài)的功率和頻率的調(diào)節(jié)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310422704.3
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103681195B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 約翰·C·小瓦爾考;布拉德福德·J·林達克
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所31263
• 代理人: 李獻忠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施方式涉及改善對等離子體阻抗的改變的響應(yīng)時間，更具體地涉及用于基于三個或更多個狀態(tài)的功率和頻率調(diào)節(jié)的裝置、方法和計算機程序。

背景技術(shù)

在等離子體處理系統(tǒng)中，多個射頻（RF）信號被提供給等離子體室中的一或多個電極。RF信號幫助在等離子體室內(nèi)產(chǎn)生等離子體。該等離子體被用于各種操作，例如，清潔位于下電極上的襯底、蝕刻該襯底，等等。

在這一背景下，出現(xiàn)了本公開中所描述的實施方式。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的實施方式供應(yīng)了用于基于三個或更多個狀態(tài)的功率和頻率調(diào)節(jié)的裝置、方法和計算機程序。應(yīng)當知道的是，這些實施方式可被實現(xiàn)為多種形式，例如，工序、裝置、系統(tǒng)、設(shè)備或計算機可讀介質(zhì)上的方法。下面將描述若干實施方式。

在一些實施方式中，描述了一種等離子體處理系統(tǒng)。該等離子體系統(tǒng)包括主產(chǎn)生器，該主產(chǎn)生器包括三個主功率控制器。所述主功率控制器中的每個配置有預(yù)定義的功率設(shè)置。該等離子體系統(tǒng)包括從產(chǎn)生器，所述從產(chǎn)生器包括三個從功率控制器。所述從功率控制器中的每個配置有預(yù)定義的功率設(shè)置。該等離子體系統(tǒng)包括控制電路，該控制電路作為輸入連接到所述主產(chǎn)生器和所述從產(chǎn)生器中的每一個。所述控制電路被配置為產(chǎn)生脈沖信號，所述脈沖信號被定義為包括定義在多個周期的操作過程中進行重復(fù)的周期的三個狀態(tài)。每個狀態(tài)被定義以選擇所述三個主功率控制器中的第一或第二或第三個，同時也選擇所述三個從功率控制器中的第一或第二或第三個。

在一種實施方式中，描述了一種被配置為根據(jù)多個狀態(tài)進行操作的等離子體系統(tǒng)。所述等離子體系統(tǒng)包括主射頻產(chǎn)生器，所述主射頻產(chǎn)生器用于接收脈沖信號。所述脈沖信號具有三個或更多個狀態(tài)。所述三個或更多個狀態(tài)包括第一狀態(tài)、第二狀態(tài)和第三狀態(tài)。所述主射頻產(chǎn)生器被配置為經(jīng)由阻抗匹配電路耦合到等離子體室。所述等離子體系統(tǒng)還包括用于接收所述脈沖信號的從射頻產(chǎn)生器。所述從射頻產(chǎn)生器被配置為經(jīng)由所述阻抗匹配電路耦合到所述等離子體室。所述主射頻產(chǎn)生器和所述從射頻產(chǎn)生器中的每個被配置為判定所述脈沖信號是否處于所述第一狀態(tài)或所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)。所述主射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第一狀態(tài)的判定將具有第一主量化電平的射頻信號提供給所述阻抗匹配電路。所述從射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第一狀態(tài)的判定將具有第一從量化電平的射頻信號提供給所述阻抗匹配電路。所述主射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第二狀態(tài)的判定將具有所述第一主量化電平的射頻信號提供給所述阻抗匹配電路。所述從射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第二狀態(tài)的判定將具有第二從量化電平的射頻信號提供給所述阻抗匹配電路。所述主射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第三狀態(tài)的判定將具有第二主量化電平的射頻信號提供給所述阻抗匹配電路。所述從射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第三狀態(tài)的判定將具有第三從量化電平的射頻信號提供給所述阻抗匹配電路。

在一些實施方式中，描述了一種配置成根據(jù)多個狀態(tài)來操作的等離子體系統(tǒng)。所述等離子體系統(tǒng)包括用于接收脈沖信號的主射頻產(chǎn)生器，所述脈沖信號具有三個或更多個狀態(tài)。所述三個或更多個狀態(tài)包括第一狀態(tài)、第二狀態(tài)和第三狀態(tài)。所述主射頻產(chǎn)生器被配置成經(jīng)由阻抗匹配電路耦合到等離子體室。所述主射頻產(chǎn)生器被配置成判定所述脈沖信號是否處于所述第一狀態(tài)或所述第二狀態(tài)或所述第三狀態(tài)。所述主射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第一狀態(tài)的判定將具有第一主量化電平的射頻信號提供給所述等離子體室以激發(fā)等離子體，所述主射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第二狀態(tài)的判定將具有所述第一主量化電平的射頻信號提供給所述等離子體室，且所述主射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于所述脈沖信號處于所述第三狀態(tài)的判定將具有第二主量化電平的射頻信號提供給所述等離子體室。所述等離子體系統(tǒng)包括從射頻產(chǎn)生器，所述從射頻產(chǎn)生器被配置為經(jīng)由所述阻抗匹配電路耦合到所述等離子體室。所述從射頻產(chǎn)生器判定與所述等離子體相關(guān)聯(lián)的參數(shù)是否超過第一閾值。所述從射頻產(chǎn)生器被配置為響應(yīng)于與所述等離子體相關(guān)聯(lián)的所述參數(shù)不超過所述第一閾值的判定提供具有第一從量化電平的射頻信號，并被配置為響應(yīng)于與所述等離子體相關(guān)聯(lián)的所述參數(shù)超過所述第一閾值的判定提供具有第二從量化電平的射頻信號。