[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201310421327.1
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN104465751B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 洪世芳;邱崇益
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種半導體裝置。半導體裝置包括一主動鰭片區(active fin region)、至少一柵極條以及一虛擬鰭片區(dummy fin region)。主動鰭片區包括至少一主動鰭片(active fin)。柵極條形成于主動鰭片區上，并延伸跨過主動鰭片。虛擬鰭片區形成于主動鰭片區的兩側，虛擬鰭片區包括多個虛擬鰭片(dummy fin)，虛擬鰭片形成于柵極條的兩側。

技術領域

本發明內容涉及一種半導體裝置，且特別是涉及一種具有虛擬鰭片區(dummy finregion)的半導體裝置。

背景技術

由于集成電路的尺寸減小，對于具有高驅動電流及小尺寸的晶體管的需求增加，因而研發出鰭式場效晶體管(fin field-effect，finFET)。鰭式場效晶體管的通道形成于鰭片的側壁和頂表面上，使得鰭式場效晶體管具有較大的通道寬度，進而可以增加晶體管的驅動電流。因此，隨著鰭式場效晶體管的應用增加，便更加需要開發具有良好特性及改良結構的鰭式場效晶體管。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體裝置，該半導體裝置中的虛擬鰭片形成于主動鰭片區的兩側，使得主動鰭片區可以受到保護，而不會在制作工藝中受到蝕刻損害，因而使得主動鰭片區可以具有更良好的邊緣輪廓(edge profile)。

為達上述目的，本發明提出的一種半導體裝置，包括一主動鰭片區(active finregion)、至少一柵極條以及一虛擬鰭片區(dummy fin region)。主動鰭片區包括至少一主動鰭片(active fin)。柵極條形成于主動鰭片區上，并延伸跨過主動鰭片。虛擬鰭片區形成于主動鰭片區的兩側，虛擬鰭片區包括多個虛擬鰭片(dummy fin)，虛擬鰭片形成于柵極條的兩側。

為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1A繪示根據本發明內容一實施例的一半導體裝置的上視圖；

圖1B繪示沿圖1A的剖面線1B-1B’的虛擬鰭片和主動鰭片的剖面示意圖；

圖2A繪示根據本發明內容另一實施例的一半導體裝置的上視圖；

圖2B繪示沿圖2A的剖面線2B-2B’的半導體裝置的剖面示意圖；

圖2C繪示沿圖2A的剖面線2C-2C’的半導體裝置的剖面示意圖；

圖3A～圖7B繪示根據本發明內容的實施例的半導體裝置制造方法的流程圖。

符號說明

100、200：半導體裝置

110、210：主動鰭片區

111：主動鰭片

120：柵極條

130、230：虛擬鰭片區

131～138：虛擬鰭片

141、143：虛擬柵極條

150：外延層

190：硅化物層

280：淺溝槽隔離氧化物

360：硅基材

361：硅條

363：氮化物間隙壁

367：圖案化氮化物層

1B-1B’、2B-2B’、2C-2C’、3B-3B’、4B-4B’、5B-5B’、6B-6B’、7B-7B’：剖面線

G：間距