[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201310421327.1
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN104465751B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 洪世芳;邱崇益
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體裝置，包括：

主動鰭片區(active fin region)，包括多個主動鰭片(active fin)，該些主動鰭片平行設置；

至少一柵極條，形成于該主動鰭片區上，并延伸跨過該些主動鰭片；

虛擬鰭片區(dummy fin region)，形成于該主動鰭片區的兩側，該虛擬鰭片區包括多個虛擬鰭片(dummy fin)，該些虛擬鰭片形成于該柵極條的兩側；以及

外延層(epi layer)，形成于該些主動鰭片上，并連接該些主動鰭片。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該些虛擬鰭片平行于該些主動鰭片。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該些虛擬鰭片的厚度與該些主動鰭片的厚度相同。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該些虛擬鰭片的長度小于該些主動鰭片的長度。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該些虛擬鰭片與該柵極條之間以一間距(gap)相隔開來，該間距為等于或大于5納米(nm)。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該主動鰭片區與該虛擬鰭片區相隔一距離(spacing)，該距離為35～45納米。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

二虛擬柵極條(dummy gate strip)，分別覆蓋該主動鰭片區的相對兩端。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

多個該柵極條，該些柵極條平行設置。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中各該柵極條之間設置至少兩個該些虛擬鰭片。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該些主動鰭片的節距(pitch)以及該些虛擬鰭片的節距分別獨立地為38～60納米。

11.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該些主動鰭片的節距以及該些虛擬鰭片的節距分別獨立地為42～50納米。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該些主動鰭片的節距以及該些虛擬鰭片的節距實質上相同。

13.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該外延層還形成于該些虛擬鰭片上。

14.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

硅化物層，形成于該外延層上。

15.一種半導體裝置，包括：

主動鰭片區(active fin region)，包括一個主動鰭片(active fin)；

至少一柵極條，形成于該主動鰭片區上，并延伸跨過該主動鰭片；

虛擬鰭片區(dummy fin region)，形成于該主動鰭片區的兩側，該虛擬鰭片區包括多個虛擬鰭片(dummy fin)，該些虛擬鰭片形成于該柵極條的兩側；以及

外延層，形成于該主動鰭片和該些虛擬鰭片上。

16.如權利要求15所述的半導體裝置，還包括：

硅化物層，形成于該外延層上。