[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310421327.1
• 申請(qǐng)日: 2013-09-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104465751B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪世芳;邱崇益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

主動(dòng)鰭片區(qū)(active fin region)，包括多個(gè)主動(dòng)鰭片(active fin)，該些主動(dòng)鰭片平行設(shè)置；

至少一柵極條，形成于該主動(dòng)鰭片區(qū)上，并延伸跨過(guò)該些主動(dòng)鰭片；

虛擬鰭片區(qū)(dummy fin region)，形成于該主動(dòng)鰭片區(qū)的兩側(cè)，該虛擬鰭片區(qū)包括多個(gè)虛擬鰭片(dummy fin)，該些虛擬鰭片形成于該柵極條的兩側(cè)；以及

外延層(epi layer)，形成于該些主動(dòng)鰭片上，并連接該些主動(dòng)鰭片。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該些虛擬鰭片平行于該些主動(dòng)鰭片。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該些虛擬鰭片的厚度與該些主動(dòng)鰭片的厚度相同。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該些虛擬鰭片的長(zhǎng)度小于該些主動(dòng)鰭片的長(zhǎng)度。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該些虛擬鰭片與該柵極條之間以一間距(gap)相隔開(kāi)來(lái)，該間距為等于或大于5納米(nm)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該主動(dòng)鰭片區(qū)與該虛擬鰭片區(qū)相隔一距離(spacing)，該距離為35～45納米。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

二虛擬柵極條(dummy gate strip)，分別覆蓋該主動(dòng)鰭片區(qū)的相對(duì)兩端。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

多個(gè)該柵極條，該些柵極條平行設(shè)置。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中各該柵極條之間設(shè)置至少兩個(gè)該些虛擬鰭片。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該些主動(dòng)鰭片的節(jié)距(pitch)以及該些虛擬鰭片的節(jié)距分別獨(dú)立地為38～60納米。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該些主動(dòng)鰭片的節(jié)距以及該些虛擬鰭片的節(jié)距分別獨(dú)立地為42～50納米。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該些主動(dòng)鰭片的節(jié)距以及該些虛擬鰭片的節(jié)距實(shí)質(zhì)上相同。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該外延層還形成于該些虛擬鰭片上。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

硅化物層，形成于該外延層上。

15.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

主動(dòng)鰭片區(qū)(active fin region)，包括一個(gè)主動(dòng)鰭片(active fin)；

至少一柵極條，形成于該主動(dòng)鰭片區(qū)上，并延伸跨過(guò)該主動(dòng)鰭片；

虛擬鰭片區(qū)(dummy fin region)，形成于該主動(dòng)鰭片區(qū)的兩側(cè)，該虛擬鰭片區(qū)包括多個(gè)虛擬鰭片(dummy fin)，該些虛擬鰭片形成于該柵極條的兩側(cè)；以及

外延層，形成于該主動(dòng)鰭片和該些虛擬鰭片上。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

硅化物層，形成于該外延層上。